[发明专利]电处理轮廓控制无效

专利信息
申请号: 200810175701.3 申请日: 2006-01-24
公开(公告)号: CN101480743A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: A·P·马内斯;V·佳尔布特;Y·王;A·迪布施特;D·J·K·奥尔加多;L-Y·陈 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: B23H5/08 分类号: B23H5/08;B24B37/04;C25F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆 嘉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 处理 轮廓 控制
【权利要求书】:

1.一种研磨基材的方法,包括:

将基材的一表面抵靠一研磨表面;

将电解液流过研磨表面,以建立穿过位于基材和一电极之间的电解液的导电路径;

相对于该电极对该基材施加偏压,其中相对于该基材对该电极施加负偏压;以及

在所述基材的边缘的外侧维持该电解液的电压的过渡梯度。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述维持电解液的电压的过渡梯度包括下列之一:

(a)相对于该基材对放置于该基材外侧的固持环施加正偏压;

(b)相对于该基材对放置于该基材外侧的最外侧电极施加正偏压;

(c)(a)和(b)的组合。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电极包括数个同心的电极区段,以及相对于该电极对该基材施加偏压包括对所述电极的一个或多个内侧电极区段施加负偏压。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,维持过渡梯度包括对所述电极的最外侧电极区段施加正偏压。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,该正偏压是小于5V的直流偏压。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,该正偏压是小于2V的直流偏压。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,维持过渡梯度包括对放置于该基材的边缘外侧的固持环的导电部分施加正偏压。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,该正偏压是在0到3V的直流偏压之间。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,该正偏压是1V的直流偏压。

10.如权利要求2所述的方法,还包括:

通过监视下述之一或它们的组合来确定研磨的结束点:研磨时间、涡流(eddy current)、干涉计、光学传感器、电压、电荷、电流。

11.如权利要求10所述的方法,还包括:结束点被确定时终止研磨。

12.如权利要求10所述的方法,还包括:结束点被确定为移除残余导电物质时对基材进行过研磨。

13.如权利要求2所述的方法,其特征在于,将电解液流过研磨表面包括将电解液流过贯穿形成在该研磨表面上的数个孔。

14.如权利要求4所述的方法,其特征在于,相对于该电极对该基材施加偏压包括分别控制施加于该电极的每一个内侧的电极区段上的偏压。

15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,施加于该电极的每一个内侧的电极区段上的偏压是在0到7V直流偏压之间。

16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,维持过渡梯度包括:

在相对于该基材对放置于该基材外侧的固持环施加正偏压时,倒转施加到该电极的最外侧区段上的偏压的极性。

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