[发明专利]用于晶片处理的处理室及其相关方法

权利要求书

1.一种执行晶片清洗过程的方法，包括：

提供处理室，所述处理室包括：

第一体积，其设置成用来覆盖在晶片上方；

平板，其设置成用来支撑晶片，所述平板还设置成用于当所 述晶片被支撑在所述平板上时限定在所述晶片正下方的第二体 积，所述平板包含流体入口和流体出口，所述流体入口和流体出 口被限定在所述平板的周边，并且位于限定成用于支撑所述晶片 的所述平板的部分的外侧，所述流体入口和流体出口被定向成用 于使流体以设定的形式流过所述第一体积；

支撑结构，其设置成用来支撑所述平板，所述支撑结构还设 置成用来限定所述平板正下方的第三体积；

将晶片放置在所述平板的限定成用于支撑所述晶片的所述部分 上；

对所述第一体积、第二体积以及第三体积加压，所述加压使所述 第一体积具有比所述第二体积更高的压力，所述加压进一步使所述第 二体积具有比所述第三体积更高的压力；以及

通过所述流体入口向所述第一体积提供流体，通过所述流体出口 将所述流体从所述第一体积排出，使所述流体以所述设定的形式流过 所述第一体积，所述流体配制成可执行晶片清洗过程。

2.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，所 述流体是超临界流体。

3.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，所 述处理室被提供作为晶片处理成组结构(cluster architecture)的一部 分。

4.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其还包括：

使所述流体从所述第一体积移动至所述第二体积，并从所述第二 体积移动至所述第三体积。

5.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，所 述第一体积相对所述第二体积的较高的压力起将所述晶片保持在所 述平板上的作用。

6.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，流 过所述第一体积的所述流体的设定形式为线性流形式、圆锥流形式、 螺旋流形式中的一种。

7.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，所 述平板包含多个在其上支撑所述晶片的支撑表面，其中，所述第二体 积存在于所述平板的多个所述支撑表面之间，并且当所述晶片被支撑 在所述平板上时位于所述晶片下方。

8.根据权利要求7所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，多 个所述支撑表面以均匀的方式横过所述限定用于支撑所述晶片的所 述平板的部分分布。

9.根据权利要求1所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，所 述处理室包含在其中具有腔的上部结构，所述方法还包括将上部结构 固定在所述支撑结构上的操作，使得所述上部结构与所述支撑结构在 所述平板的周边外侧相接，并使得所述上部结构内的腔限定所述第一 体积。

10.根据权利要求9所述的执行晶片清洗过程的方法，其中，将 所述上部结构固定至所述支撑结构，以在所述上部结构和所述支撑结 构之间的界面处形成密封件，其中所述密封件起将所述第一体积与所 述处理室的外部环境隔绝的作用。

11.一种清洗晶片的方法，包括：

将晶片放置在支撑平板上，所述支撑平板包含限定在所述支撑平 板周边里的多个流体入口和多个流体出口，所述支撑平板的所述周边 被限定在其上放置有所述晶片的所述支撑平板的区域外侧；及

将清洗流体以设定的流体流形式，从所述多个流体入口流过所述 晶片至所述多个流体出口，其中所述设定的流体流形式是被所述多个 流体入口和所述多个流体出口的定位和定向来限定的。

12.根据权利要求11所述的清洗晶片的方法，其还包括：

将一体积以密封方式包围在所述晶片和所述支撑平板上面；及

控制所述体积内的压力。