[发明专利]双重图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810175819.6 | 申请日: | 2008-11-04 |
公开(公告)号: | CN101431052A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 尹竣九 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;张 英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双重 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种双重图像传感器的制造方法,包括:
通过下述步骤来形成第一器件:
在第一晶片上形成第一倾斜阶梯,
在所述第一倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第一反射 面以反射从侧面入射的光,以及
在与所述第一倾斜阶梯相邻的下部端面上方形成至 少一个第一微透镜;以及
通过下述步骤来形成第二器件:
在第二晶片上形成第二倾斜阶梯,
在所述第二倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第二反射 面以反射从所述侧面入射的光,以及
在与所述第二倾斜阶梯相邻的上部端面的第一部分 上方形成至少一个第二微透镜;
在与所述第一倾斜阶梯相邻的上部端面上形成第一通道 孔,以及在所述第二晶片的所述上部端面的第二部分上形成第 二通道孔;
用金属填充所述第一通道孔和所述第二通道孔;以及
将所述第一通道孔内的所述金属和所述第二通道孔内的 所述金属连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第二微透镜布置在 用来接收由所述第一反射面反射的光的位置。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第一微透镜布置在 用来接收由所述第二反射面反射的光的位置。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过以一定的倾度对所述 第一晶片实施干法刻蚀来形成所述第一倾斜阶梯。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,通过以一定的倾度对所述 第二晶片实施干法刻蚀来形成所述第二倾斜阶梯。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,用从由铜,钨和铝组成的 组中选出的金属来填充所述第一通道孔。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,用从由铜,钨和铝组成的 组中选出的金属来填充所述第二通道孔。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,通过对所述第一通道孔和 所述第二通道孔中的金属实施退火来连接所述第一晶片和所 述第二晶片。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第一晶片上的所述 上部端面与所述第二晶片的所述上部端面的所述第二部分反 向对准。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一倾斜阶梯和所述 第二倾斜阶梯彼此不对准。
11.一种双重图像传感器,包括:
第一器件,包括:
第一晶片,具有第一倾斜阶梯,
第一反射面,在所述第一倾斜阶梯上的倾斜平面上,
至少一个第一微透镜,在与所述第一倾斜阶梯相邻 的下部端面上方,以及
第一通道孔,在与所述第一倾斜阶梯相邻的上部端 面上并填充有金属;以及
第二器件,包括:
第二晶片,具有第二倾斜阶梯,
第二反射面,在所述第二倾斜阶梯上的倾斜平面上,
至少一个第二微透镜,在与所述第二倾斜阶梯相邻 的上部端面的第一部分上方,以及
第二通道孔,在所述第二晶片的所述上部端面的第 二部分上并填充有金属,其中,通过将所述第一通道孔 中的所述金属和所述第二通道孔中的所述金属连接在一 起来形成双重图像传感器。
12.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第二微 透镜位于接收由所述第一反射面反射的光的位置。
13.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第一微 透镜位于接收由所述第二反射面反射的光的位置。
14.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第一反 射面通过反射从所述双重图像传感器的侧面入射的光来将所 述光传送到所述第二微透镜。
15.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第二反 射面通过反射从所述双重图像传感器的侧面入射的光来将所 述光传送到所述第一微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造