[发明专利]双重图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810175819.6 申请日: 2008-11-04
公开(公告)号: CN101431052A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 尹竣九 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 李丙林;张 英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 双重 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种双重图像传感器的制造方法,包括:

通过下述步骤来形成第一器件:

在第一晶片上形成第一倾斜阶梯,

在所述第一倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第一反射 面以反射从侧面入射的光,以及

在与所述第一倾斜阶梯相邻的下部端面上方形成至 少一个第一微透镜;以及

通过下述步骤来形成第二器件:

在第二晶片上形成第二倾斜阶梯,

在所述第二倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第二反射 面以反射从所述侧面入射的光,以及

在与所述第二倾斜阶梯相邻的上部端面的第一部分 上方形成至少一个第二微透镜;

在与所述第一倾斜阶梯相邻的上部端面上形成第一通道 孔,以及在所述第二晶片的所述上部端面的第二部分上形成第 二通道孔;

用金属填充所述第一通道孔和所述第二通道孔;以及

将所述第一通道孔内的所述金属和所述第二通道孔内的 所述金属连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第二微透镜布置在 用来接收由所述第一反射面反射的光的位置。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第一微透镜布置在 用来接收由所述第二反射面反射的光的位置。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过以一定的倾度对所述 第一晶片实施干法刻蚀来形成所述第一倾斜阶梯。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,通过以一定的倾度对所述 第二晶片实施干法刻蚀来形成所述第二倾斜阶梯。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,用从由铜,钨和铝组成的 组中选出的金属来填充所述第一通道孔。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,用从由铜,钨和铝组成的 组中选出的金属来填充所述第二通道孔。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,通过对所述第一通道孔和 所述第二通道孔中的金属实施退火来连接所述第一晶片和所 述第二晶片。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第一晶片上的所述 上部端面与所述第二晶片的所述上部端面的所述第二部分反 向对准。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一倾斜阶梯和所述 第二倾斜阶梯彼此不对准。

11.一种双重图像传感器,包括:

第一器件,包括:

第一晶片,具有第一倾斜阶梯,

第一反射面,在所述第一倾斜阶梯上的倾斜平面上,

至少一个第一微透镜,在与所述第一倾斜阶梯相邻 的下部端面上方,以及

第一通道孔,在与所述第一倾斜阶梯相邻的上部端 面上并填充有金属;以及

第二器件,包括:

第二晶片,具有第二倾斜阶梯,

第二反射面,在所述第二倾斜阶梯上的倾斜平面上,

至少一个第二微透镜,在与所述第二倾斜阶梯相邻 的上部端面的第一部分上方,以及

第二通道孔,在所述第二晶片的所述上部端面的第 二部分上并填充有金属,其中,通过将所述第一通道孔 中的所述金属和所述第二通道孔中的所述金属连接在一 起来形成双重图像传感器。

12.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第二微 透镜位于接收由所述第一反射面反射的光的位置。

13.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第一微 透镜位于接收由所述第二反射面反射的光的位置。

14.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第一反 射面通过反射从所述双重图像传感器的侧面入射的光来将所 述光传送到所述第二微透镜。

15.根据权利要求11所述的双重图像传感器,其中,所述第二反 射面通过反射从所述双重图像传感器的侧面入射的光来将所 述光传送到所述第一微透镜。

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