[发明专利]形成含触媒层的电极的方法无效
申请号: | 200810176036.X | 申请日: | 2008-11-05 |
公开(公告)号: | CN101740226A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 卫子健;郑海鹏;冯宪平;蓝若琳;彭超;许雯琪;张雅慧;陈文祥 | 申请(专利权)人: | 健鼎(无锡)电子有限公司 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟;尹丽云 |
地址: | 214101 中国江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 触媒 电极 方法 | ||
1.一种形成含触媒层的电极的方法,该方法包括以下步骤:
提供一个基板,该基板的一个表面上具有一导电层;
蚀刻该基板的该表面;
在蚀刻该基板的该表面后,将该基板浸泡至含有一种界面活性材料的第一溶液中,藉以于该导电层上形成一层界面活性层;
将该基板浸泡至第二溶液中,藉以于该界面活性层上形成一层贵金属触媒层,其中所述的第二溶液包含分散于该第二溶液的若干个由一个高分子包覆的贵金属。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:将所述基板浸泡至该第一溶液前,清洗该基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在实际上低于约300℃的温度下,热处理该贵金属触媒层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在低于约50℃的操作温度下,将该基板浸泡至该第二溶液中。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的贵金属触媒层包含钯、铂、钌、银或金。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的高分子为聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚丙烯酰胺PAM、聚乙烯醇PVAL、聚丙烯酸PAA或聚次乙亚胺PEI。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:蚀刻所述基板的该表面采用湿蚀刻制程。
8.一种制造电化学装置的方法,该方法是:
利用一层封装膜组装一个第一电极和一个第二电极,其中形成该第一电极或该第二电极或者该第一电极和第二电极至少包括以下步骤:
蚀刻基板的一个表面;
在蚀刻该基板的该表面后,处理该基板的该表面;
将该基板浸泡至第二溶液中,藉以于该基板的该表面上形成一层贵金属触媒层,其中所述第二溶液包含分散于该第二溶液的若干个由一个高分子包覆的贵金属;
注入一种电解质到该第一电极与该第二电极之间。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:处理该基板的该表面是将该基板浸泡至含有一种界面活性材料的第一溶液中,以于该基板的该表面上形成一层界面活性层。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:在处理该基板的该表面前,清洗该基板。
11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:在形成该贵金属触媒层后,热处理该贵金属触媒层。
12.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:将该基板浸泡至该第二溶液中是在低于约50℃操作温度下进行的。
13.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:当形成所述第一电极即形成一个含有该贵金属触媒层的电极作为一种电化学装置的阴极时,形成所述第二电极,该第二电极提供另一种包括含染料的二氧化钛层的基板作为该电化学装置的阳极。
14.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:该贵金属触媒层包含钯、铂、钌、银或金。
15.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:该高分子为聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚丙烯酰胺PAM、聚乙烯醇PVAL、聚丙烯酸PAA或聚次乙亚胺PEI。
16.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:蚀刻该基板的该表面采用湿蚀刻制程。
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