[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，对串联连接的、插在高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第一和第二开关器件进行驱动控制，其特征在于，具备：

高电位部，包含对在上述第一和第二开关器件中成为高电位侧开关器件的导通/非导通进行控制的控制部；

低电位侧逻辑电路，设置在以上述低电位的主电源电位为基准进行工作的低电位部上，并根据从外部施加的信号，生成具有表示上述高电位侧开关器件导通的第一状态和表示上述高电位侧开关器件非导通的第二状态的控制信号，同时根据上述控制信号，对应于上述第一和第二状态，产生第一和第二脉冲信号；

第一和第二电平移位部，将上述第一和第二脉冲信号向上述高电位部进行电平移位，并分别得到第一和第二电平移位结束脉冲信号；以及

电压检测元件，配置在上述低电位部上，并用于在上述第一及第二电平移位部内，检测至少一方的输出线的电位，将根据该电位的逻辑值提供给上述低电位侧逻辑电路，来控制上述低电位侧逻辑电路的工作，

上述电压检测元件由

把在元件工作时形成沟道区的半导体区的上部设置的场氧化膜或层间绝缘膜中至少一方作为栅绝缘膜，并且

把在上述栅绝缘膜上设置的上述输出线作为栅电极的至少一个MOS晶体管构成，

上述至少一个MOS晶体管包含并联连接的多个MOS晶体管，

上述多个MOS晶体管的各自的阈值电压不同。

2.一种半导体器件，对串联连接的、插在高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第一和第二开关器件进行驱动控制，其特征在于，具备：

高电位部，包含对在上述第一和第二开关器件中成为高电位侧开关器件的导通/非导通进行控制的控制部；

逆电平移位部，将上述高电位部的信号进行电平移位，并提供给以上述低电位的主电源电位为基准进行工作的低电位侧逻辑电路；以及

电压检测元件，配置在上述高电位部上，并检测上述逆电平移位部的输出线的电位，将根据该电位的逻辑值提供给上述控制部，来控制上述高电位侧开关器件的导通/非导通，

上述电压检测元件由

把在元件工作时形成沟道区的半导体区的上部设置的场氧化膜或层间绝缘膜中至少一方作为栅绝缘膜，并且

把在上述栅绝缘膜上设置的上述输出线作为栅电极的至少一个MOS晶体管构成，

上述至少一个MOS晶体管包含并联连接的多个MOS晶体管，

上述多个MOS晶体管的各自的阈值电压不同。

3.一种半导体器件，对串联连接的、插在高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第一和第二开关器件进行驱动控制，其特征在于，具备：

高电位部，包含对在上述第一和第二开关器件中成为高电位侧开关器件的导通/非导通进行控制的控制部；

低电位侧逻辑电路，设置在以上述低电位的主电源电位为基准进行工作的低电位部上，并根据从外部施加的信号，生成具有表示上述高电位侧开关器件导通的第一状态和表示上述高电位侧开关器件非导通的第二状态的控制信号，同时根据上述控制信号，对应于上述第一和第二状态，产生第一和第二脉冲信号；以及

电压检测元件，设置在上述低电位部上，并用来检测从上述高电位部延伸的、输出上述高电位的主电源电位的输出线的电位，将根据该电位的逻辑值提供给上述低电位侧逻辑电路，来控制上述低电位侧逻辑电路的工作，

上述电压检测元件由

把在元件工作时形成沟道区的半导体区的上部设置的场氧化膜或层间绝缘膜中至少一方作为栅绝缘膜，并且

把在上述栅绝缘膜上设置的上述输出线作为栅电极的至少一个MOS晶体管构成，

上述至少一个MOS晶体管包含并联连接的多个MOS晶体管，

上述多个MOS晶体管的各自的阈值电压不同。