[发明专利]制造图像传感器的方法无效
申请号: | 200810176265.1 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101442066A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 沈莲娥 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/71;H01L21/82;G02B3/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 图像传感器 方法 | ||
1.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:
在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层;然后
在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜;然后
在该光致抗蚀剂膜上实施最佳焦点曝光;以及然后
在经最佳焦点曝光的该光致抗蚀剂膜上实施散焦曝光;以及然后
通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜,
其中实施该最佳焦点曝光的步骤包括:曝光在相邻微透镜之间的间隔中的该光致抗蚀剂膜,以及在该光致抗蚀剂膜上以角度垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的入射光进行曝光。
2.如权利要求1所述的方法,其中实施该散焦曝光的步骤包括:曝光该光致抗蚀剂膜的外围表面边缘。
3.如权利要求1所述的方法,其中实施该散焦曝光的步骤包括:在该光致抗蚀剂膜上以角度并非垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的光进行曝光。
4.如权利要求1所述的方法,其中用于实施该散焦曝光的标线片与用于实施该最佳焦点曝光的标线片相同。
5.如权利要求1所述的方法,其中用于实施该散焦曝光的标线片与用于实施该最佳焦点曝光的标线片不同。
6.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:
提供其中形成有多个光电二极管的衬底;然后
在包括该光电二极管的该衬底上方形成介电层;然后
在该介电层上方形成滤色镜层;然后
在该滤色镜层上方形成平坦化层;然后
在该平坦化层上方形成光致抗蚀剂膜;然后
在该光致抗蚀剂膜上实施第一聚焦工艺,其中实施该第一聚焦工艺的步骤包括:使用第一标线片,在与相邻微透镜之间的间隔对应的部分该光致抗蚀剂膜上,以角度垂直于该光致抗蚀剂膜上顶部表面的入射光进行曝光;然后
实施该第一聚焦工艺之后,在该光致抗蚀剂膜上实施第二聚焦工艺,其中实施该第二聚焦工艺的步骤包括:使用该第一标线片,在该光致抗蚀剂膜的外围边缘部分上,以角度并非垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的入射光进行曝光;以及然后
实施该第二聚焦工艺之后,通过显影该光致抗蚀剂膜而形成微透镜。
7.如权利要求6所述的方法,其中实施该第一聚焦工艺的步骤包括:在该光致抗蚀剂膜上实施最佳焦点曝光。
8.如权利要求6所述的方法,其中实施该第二聚焦工艺的步骤包括:在该光致抗蚀剂膜上实施散焦曝光。
9.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:
在其中形成有多个光电二极管的衬底上方形成滤色镜层;然后
在该滤色镜层上方形成光致抗蚀剂膜;然后
在该光致抗蚀剂膜上依次实施第一和第二曝光工艺,其中实施该第一曝光工艺的步骤包括:使用第一标线片,在与相邻微透镜之间的间隔对应的部分该光致抗蚀剂膜上,以角度垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的入射光进行曝光,以及其中实施该第二曝光工艺的步骤包括:使用第二标线片,在该光致抗蚀剂膜的外围边缘部分上,以角度并非垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的入射光进行曝光;以及然后
实施该第二曝光工艺之后,通过显影该光致抗蚀剂膜而形成微透镜。
10.如权利要求9所述的方法,其中该第二标线片与该第一标线片不同。
11.如权利要求9所述的方法,其中该第一曝光工艺的步骤包括在该光致抗蚀剂膜上实施最佳焦点曝光,以及该第二聚焦工艺的步骤包括在该光致抗蚀剂膜上实施散焦曝光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的