[发明专利]光学多层膜过滤器、光学多层膜过滤器的制造方法和电子机器装置

权利要求书

1.一种光学多层膜过滤器，其为在基板上具有由两个以上的层构成 的无机薄膜的光学多层膜过滤器，其特征在于，

上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成，

在上述无机薄膜的表面上形成有含氟有机硅化合物膜，所述含氟有 机硅化合物膜不含导电性聚合物，

上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内 的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，

上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对 于上述低密度的二氧化硅层为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度 的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的，

上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。

2.如权利要求1所述的光学多层膜过滤器，其特征在于，

所述低密度的二氧化硅层的密度为1.9g/cm³～2.1g/cm³，所述低密度 的二氧化钛层的密度为4.1g/cm³～4.8g/cm³，

所述无机薄膜的最表层利用所述低密度的二氧化硅层形成，

所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任意层数，从而形 成所述低密度形成部。

3.如权利要求1或权利要求2所述的光学多层膜过滤器，其特征在于，

所述基板为玻璃基板或水晶基板。

4.一种光学多层膜过滤器的制造方法，所述光学多层膜过滤器在基 板上具有由两个以上的层构成的无机薄膜，该制造方法的特征在于，

在上述基板的表面形成层积有高密度的二氧化钛层和高密度的二氧 化硅层的高密度形成部，

其次，通过真空蒸镀法在上述高密度形成部的表面以总膜厚为280nm 以内形成低密度形成部，所述低密度形成部是由相对于上述高密度的二 氧化钛层为低密度的二氧化钛层和/或相对于上述高密度的二氧化硅层为 低密度的二氧化硅层形成的，

进而，在上述低密度形成部的最表层的表面形成含氟有机硅化合物 膜，所述含氟有机硅化合物膜不含导电性聚合物。

5.如权利要求4所述的光学多层膜过滤器的制造方法，其特征在于，

所述低密度形成部的形成中，将所述低密度的二氧化硅层的密度设 定为1.9g/cm³～2.1g/cm³，将所述低密度的二氧化钛层的密度设定为 4.1g/cm³～4.8g/cm³，所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任 意层数。

6.如权利要求4或权利要求5所述的光学多层膜过滤器的制造方法， 其特征在于，通过所述真空蒸镀法进行所述低密度的二氧化硅层的成膜 时的压力为5×10^-4Pa～5×10^-2Pa，

通过所述真空蒸镀法进行所述低密度的二氧化钛层的成膜时的压力 为1.4×10^-2Pa～3×10^-2Pa。

7.一种电子机器装置，其为组装有光学多层膜过滤器的电子机器装 置，其特征在于，

上述光学多层膜过滤器由在基板上的由两个以上的层构成的无机薄 膜和形成于该无机薄膜表面的含氟有机硅化合物膜构成，所述含氟有机 硅化合物膜不含导电性聚合物，

上述无机薄膜由低密度形成部和高密度形成部构成，

上述低密度形成部中，上述无机薄膜的最表层或包括该最表层在内 的两个以上的层由低密度的二氧化钛层和/或低密度的二氧化硅层形成，

上述高密度形成部是在上述低密度形成部和上述基板之间层积相对 于上述低密度的二氧化硅层为高密度的二氧化硅层和相对于上述低密度 的二氧化钛层为高密度的二氧化钛层而形成的，

上述低密度形成部的总膜厚为280nm以内。

8.如权利要求7所述的电子机器装置，其特征在于，

所述低密度形成部的形成中，将所述低密度的二氧化硅层的密度设 定为1.9g/cm³～2.1g/cm³，将所述低密度的二氧化钛层的密度设定为 4.1g/cm³～4.8g/cm³，所述低密度形成部的层数为从2层到4层中选择的任 意层数。