[发明专利]包括在基底上放置半导体芯片的制造装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造装置的方法，该方法包括在基底上放置半导 体芯片，并涉及一种装置，该装置包括在基底上放置的半导体芯片。

背景技术

例如，可以在基底上放置功率半导体芯片。功率半导体芯片适用 于电流和/或电压的切换或控制。功率半导体芯片可以被配置成功率晶 体管、功率二极管或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。

发明内容

根据本发明的实施例，提供一种制造装置的方法，该方法包括：

提供基底，该基底具有从基底的顶表面向上突出的第一元件；

提供半导体芯片，该半导体芯片具有在第一表面上的第一电极和 在与第一表面相反的第二表面上的第二电极；

将半导体芯片放置在基底的第一元件上，其中半导体芯片的第一 表面朝向基底的顶表面，使得半导体芯片的第一电极位于从基底的顶 表面向上突出的第一元件上；

将半导体芯片的第二电极电耦接到从基底向上突出的第二元件； 以及

至少部分地移除基底，并且在移除基底时不移除第一元件和第二 元件。

根据本发明的实施例，该方法还包括通过研磨或蚀刻来移除基底。

根据本发明的实施例，基底是由金属或金属合金或陶瓷材料或纸 材料制成的。

根据本发明的实施例，该方法还包括通过印刷来制造第一元件。

根据本发明的实施例，该方法还包括通过喷墨印刷来制造第一元 件。

根据本发明的实施例，该方法还包括在将半导体芯片放置在基底 上后，用电介质材料覆盖基底。

根据本发明的实施例，该方法还包括在半导体芯片和基底之间放 置电介质材料。

根据本发明的实施例，半导体芯片具有位于第一表面上的第三电 极，且第三电极电耦接到从基底突出的第三元件，并且其中在移除基 底时不移除第三元件。

根据本发明的实施例，半导体芯片是功率半导体芯片。

附图说明

附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并被结合和组成本说 明书的一部分。附图示出了实施例，并和描述一起用于帮助解释实施 例的原理。其它实施例和实施例的许多预期的优势可以被容易地理解， 因为参考以下具体的说明它们将变得更好理解。附图中的元件并不是 必须互相成比例。相同的附图标记表示相应的类似部件。

图1A至1D示意性地示出了根据一个示例性实施例的方法。

图2A至2D示意性地示出了根据又一示例性实施例的又一方法。

图3A至3D示意性地示出了根据再一示例性实施例的再一方法。

图4A至4D示意性地示出了根据又一示例性实施例的又一方法。

具体实施方式

在以下具体的说明中，参考构成说明书的一部分且其中以图示的 方式示出了特定实施例的附图，本发明可以在所述特定实施例中被实 施。在这方面，方向术语，如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、 “在前(leading)”、“尾随(trailing)”等，参考所描述的图中 的方向来使用。由于实施例的组件可以许多不同的方向放置，使用方 向术语是为了解释而不是在任何方面限制。可以理解，在不偏离本发 明的范围内，可以使用其它的实施例，且可以进行结构或逻辑上的改 变。因此，以下具体的说明不是为了限制，且本发明的范围是由所附 权利要求限定的。

可以理解，这里描述的各种示例实施例的特征可以互相结合，除 非另外特别指出。

以下将描述具有半导体芯片的装置。半导体芯片可以是非常不同 的类型并可以包括，例如，集成电或电光电路。这些半导体芯片例如 可以被配置成功率MOSFET，例如，功率晶体管、功率二极管或IGBT(绝 缘栅双极型晶体管)。此外，半导体芯片可以包括控制电路，微处理 器或微电子机械组件。在一个实施例中，可以涉及垂直类型的半导体 芯片，其被这样制造从而电流可以在与半导体芯片的主表面基本垂直 的方向上流动。在具有垂直结构的半导体芯片中，通过其传导电流的 电极被布置在半导体芯片的至少两个表面上，这些表面被布置在半导 体芯片的两个相反的侧面上。在一个实施例中，功率晶体管、功率二 极管和IGBT可以具有垂直结构。例如，功率晶体管的源和漏电极、功 率二极管的阳极和阴极电极以及IGBT的发射极电极和集电极电极可以 位于相应的功率半导体芯片的相反的表面上。