[发明专利]激光加工方法

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于，

具有：

在具有由半导体材料构成的基板和设置于所述基板表面的积层部 的加工对象物的至少所述基板的内部，使聚光点聚合，在聚光点的最 大功率密度为1×10⁸W/cm²以上、且脉冲宽度为1μs以下的条件下照 射激光，至少在所述基板内部形成调质领域，利用该调质领域，在距 所述加工对象物的激光入射面规定距离内侧，沿所述加工对象物的切 割预定线，形成切割起点领域的工序；以及

以所述切割起点领域为起点，使在所述基板的厚度方向上产生的 裂口成长，沿所述切割预定线切割所述基板并且切割所述积层部的工 序，

所述调质领域包括裂口领域、熔融处理领域以及折射率变化领域 中的至少一种，其中，所述裂口领域是在所述基板的内部发生裂口的 领域，所述熔融处理领域是在所述基板的内部进行了熔融处理的领域， 所述折射率变化领域是在所述基板的内部发生了折射率变化的领域。

2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

以离所述加工对象物的厚度方向的中心位置靠近所述基板的背面 的一侧的方式，在所述基板的内部形成所述调质领域。

3.根据权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，

在形成所述切割起点领域的工序之后，通过对所述加工对象物从 所述积层部的一侧施加应力，沿所述切割预定线切割所述加工对象物。

4.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

以离所述加工对象物的厚度方向的中心位置靠近所述基板的所述 表面的一侧的方式，在所述基板的内部形成所述调质领域。

5.根据权利要求4所述的激光加工方法，其特征在于，

在形成所述切割起点领域的工序之后，通过对所述加工对象物从 所述积层部的相反侧施加应力，沿所述切割预定线切割所述加工对象 物。

6.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述基板及所述积层部是以接触的方式形成的多个基板，

在形成所述切割起点领域的工序中，在所述基板的内部使聚光点 聚合并照射激光，并且，在所述积层部的内部使聚光点聚合并照射激 光，从而在所述基板的内部以及所述积层部的内部分别形成调质领域， 利用该调质领域，在距所述加工对象物的激光入射面规定距离内侧， 沿所述切割预定线形成切割起点领域。

7.根据权利要求6所述的激光加工方法，其特征在于，

在所述基板的内部及所述积层部的内部分别形成的所述调质领 域，在从所述加工对象物的厚度方向看时，沿所述切割预定线重合。

8.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述基板及所述积层部是以设有间隙的方式贴合的多个基板，

在形成所述切割起点领域的工序中，在所述基板的内部使聚光点 聚合并照射激光，并且，在所述积层部的内部使聚光点聚合并照射激 光，从而在所述基板的内部以及所述积层部的内部分别形成调质领域， 利用该调质领域，在距所述加工对象物的激光入射面规定距离内侧， 沿所述切割预定线形成切割起点领域。

9.根据权利要求8所述的激光加工方法，其特征在于，

在所述基板的内部及所述积层部的内部分别形成的所述调质领 域，在从所述加工对象物的厚度方向看时，沿所述切割预定线重合。

10.根据权利要求8所述的激光加工方法，其特征在于，

所述积层部是硅基板。

11.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物具有所述基板和所述积层部，所述积层部包括第 一积层部和第二积层部，该第一积层部是在所述基板的所述表面设置 的氧化膜，该第二积层部设置在所述第一积层部的表面。

12.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物具有所述基板和所述积层部，所述积层部是积层 功能膜。