[发明专利]四方扁平无引脚封装的制造方法有效
| 申请号： | 200810176686.4 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740406A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林峻莹;沈更新;侯博凯 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 四方 扁平 引脚 封装 制造 方法 | ||
1.一种四方扁平无引脚封装的制造方法，包括：
于一牺牲层上形成一图案化导电层，其中该图案化导电层包括多组引脚；
将多个芯片贴附于该牺牲层上，其中各该芯片分别被其中一组引脚所环 绕；
令各该芯片分别与其中一组引脚电性连接；
于该牺牲层上形成一封装胶体，以覆盖该图案化导电层以及该些芯片；
切割该封装胶体以及该图案化导电层，并预切割该牺牲层以于该牺牲层上 形成多个切割沟槽；
在切割该封装胶体以及该图案化导电层并预切割该牺牲层后，提供一转移 基板，并使被切割后的封装胶体贴附于该转移基板上；
在使被切割后的封装胶体贴附于该转移基板上后，移除该牺牲层，其中在 移除该牺牲层之前，该转移基板仅贴附于该封装胶体；以及
在移除该牺牲层之后，移除该转移基板。
2.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，该 图案化导电层的形成方法包括：
于该牺牲层上形成一导电层；以及
移除部分该导电层，以形成该图案化导电层。
3.如权利要求2所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，移 除部分该导电层的方法包括光刻/蚀刻制程。
4.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，该 图案化导电层的形成方法包括：
于该牺牲层上形成一图案化光阻层；
以该图案化光阻层为罩幕，于未被该图案化光阻层覆盖的该牺牲层上形成 该图案化导电层；以及
移除该图案化光阻层。
5.如权利要求4所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，该 牺牲层为一金属层或一绝缘层。
6.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，在 形成该些组引脚时，更包括形成一芯片座，且该些引脚环绕该芯片座。
7.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装的制造方法，其特征在于，该 封装胶体是全面性形成于该牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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