[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件无效
申请号: | 200810176925.6 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN101407417A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 关秀明;阿满三四郎;宫内真理 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
1.一种电介质陶瓷组合物,其含有BamTiO2+m、BanZrO2+n、R的氧化物,
其中,m满足0.99≤m≤1.01,
n满足0.99≤n≤1.01,
R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、 Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,
其特征在于:相对于上述BamTiO2+m100mol,上述BanZrO2+n的含量为A mol、 上述R的氧化物的含量为C mol时,上述A以BanZrO2+n计,满足40≤A≤65mol, 上述C以R2O3计,满足4≤C≤15mol,并且同时满足下式(1)和(2):
式(1)...0.0038A-0.147≤B≤0.004A+0.04
式(2)...0.0041C-0.0115≤D≤0.0046C+0.084
式(1)中,B为上述BanZrO2+n的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比,
式(2)中,D为上述R的氧化物的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比。
2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其还含有Mg的氧化物、选 自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的 至少一种的氧化物,
相对于上述BamTiO2+m100mol,以各成分的氧化物或者复合氧化物计的比率 为:
Mg的氧化物:4~12mol
Mn、Cr、Co和Fe的氧化物:0.5~3mol
Si、Li、Al、Ge和B的氧化物:3~9mol。
3.电子部件,其具有:包含权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物的电介质 层和内部电极层。
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