[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件无效

专利信息
申请号: 200810176925.6 申请日: 2008-09-28
公开(公告)号: CN101407417A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 关秀明;阿满三四郎;宫内真理 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 庞立志;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电介质 陶瓷 组合 电子 部件
【权利要求书】:

1.一种电介质陶瓷组合物,其含有BamTiO2+m、BanZrO2+n、R的氧化物,

其中,m满足0.99≤m≤1.01,

n满足0.99≤n≤1.01,

R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、 Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,

其特征在于:相对于上述BamTiO2+m100mol,上述BanZrO2+n的含量为A mol、 上述R的氧化物的含量为C mol时,上述A以BanZrO2+n计,满足40≤A≤65mol, 上述C以R2O3计,满足4≤C≤15mol,并且同时满足下式(1)和(2):

式(1)...0.0038A-0.147≤B≤0.004A+0.04

式(2)...0.0041C-0.0115≤D≤0.0046C+0.084

式(1)中,B为上述BanZrO2+n的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比,

式(2)中,D为上述R的氧化物的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比。

2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其还含有Mg的氧化物、选 自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的 至少一种的氧化物,

相对于上述BamTiO2+m100mol,以各成分的氧化物或者复合氧化物计的比率 为:

Mg的氧化物:4~12mol

Mn、Cr、Co和Fe的氧化物:0.5~3mol

Si、Li、Al、Ge和B的氧化物:3~9mol。

3.电子部件,其具有:包含权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物的电介质 层和内部电极层。

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