[发明专利]横向电场型液晶显示装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810176930.7 申请日: 2008-07-09
公开(公告)号: CN101408698A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 松野文彦 申请(专利权)人: NEC液晶技术株式会社
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 横向 电场 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置及其制造方法。更具体地,本发明涉及一种横向电场型LCD装置及其制造方法,该LCD装置的透明电极形成在有机透明绝缘膜上,而该有机透明绝缘膜的结构化改性层(reformed layer)插入在电极及绝缘膜内部之间。

背景技术

LCD装置通过施加电场至夹在两个相对的透明基板之间的液晶层上,由此旋转液晶层中的液晶分子来显示图象。LCD装置通常具有两种类型:一是垂直电场类,其按照例如TN(扭转向列)模式操作。在这类装置中,与液晶层垂直的电场(即,垂直电场)由形成在两个相对的透明基板中的一个上的电极以及位于另一个上的电极产生,由此旋转液晶分子朝向与所述基板垂直的方向。

另一类是横向电场型,其中装置按照例如IPS(平面内转换,in-planeswitching)或FFS(边缘场转换,fringe field switching)模式操作。在这类装置中,与液晶层平行的电场(即横向电场)由形成在两个相对的透明基板中的一个上的电极产生,由此旋转液晶分子朝向与所述基板平行的方向。

日本未审专利公开号2002-323706(专利文件1)中公开了横向电场型的有源矩阵寻址LCD装置的一个例子。(参见专利文件1的摘要以及图2)。图1示出了该现有技术中的LCD的示意性结构。

如图1所示,现有技术中的LCD装置包括透明有源元件基板111、相对的透明基板112以及以夹在基板111和112之间这种方式保持的液晶层113。有源元件基板111包括位于其内部的第二透明层间绝缘膜114。透明公共电极115和透明像素电极116形成在该第二层间绝缘膜114上。公共电极115和像素电极116的每一个均是梳形的。每个公共电极115和对应的一个像素电极116在每个像素区中相互匹配。因此,在图1中,公共电极115梳齿形部分与对应的像素电极116的这些部分交替对准。第二层间绝缘膜114由光敏丙烯酸树脂制成。公共电极115和像素电极116由透明导电材料ITO(氧化铟锡)制成。

公共电极115和像素电极116被形成在第二层间绝缘膜114上的定向膜117(alignment film)覆盖。相对基板112的内表面被定向膜118覆盖。定向膜117和118的内表面分别经过预先的定向处理。液晶层113中的液晶分子与定向膜117和118的定向处理后的内表面相接触,因而,这些分子初始定向成与基板111和112平行的平面内的预定方向。

当在公共电极115和对应像素电极116之间施加预定电压时,产生与基板111和112平行的电场(即,横向电场)。通过与基板111和112平行的平面内的横向电场,液晶层113中的液晶分子旋转离开它们初始的定向方向,由此显示图像。这样,液晶分子的取向一直保持在与基板111和112平行的平面上,液晶分子永远朝着与基板111和112垂直的方向旋转。出于这个原因,横向电场型LCD装置的优势在于可减少亮度和色彩随着视角变化而发生的变化。

在这种情况中已知ITO膜形成在由诸如丙烯酸或聚酰亚胺树脂(即有机绝缘膜)的有机材料制成的透明绝缘膜上,以及随后,ITO膜将通过光刻法和湿法蚀刻产生图案,在其上形成诸如像素电极的透明电极,但将很有可能出现有缺陷的图案形成。例如,形成了图案的ITO膜(即透明电极)的线宽很有可能将比期望的宽度小,并且/或形成了图案的ITO膜本身很容易从有机绝缘膜上剥落。这种有缺陷的图案形成的起因是ITO膜和有机绝缘膜之间的粘附强度过小,结果,湿法蚀刻使用的蚀刻剂易于进入ITO膜和有机绝缘膜之间的分界面。

日本未审专利公开号4-257826(专利文件2)以及日本专利号3612529(与日本未审专利公开号2003-207774相对应的)(专利文件3)公开了解决上述这个问题的措施。

制备专利文件2公开的有源矩阵基板的方法如下。在包含诸如氩气(Ar)的惰性气体等离子体的气氛下处理由诸如丙烯酸或聚酰亚胺树脂等有机材料制成的有机透明绝缘膜的表面。随后,在有机透明绝缘膜上形成诸如ITO膜的透明导电膜,通过光刻法和湿法蚀刻形成图案,由此形成诸如像素电极的透明电极(参见专利文件2的图1和权利要求1)。

这样,根据专利文件2公开的制备方法,通过使用惰性气体的离子体处理对有机透明绝缘膜的表面进行改良,以增加所述有机透明绝缘膜和其上形成的透明电极之间的粘附性,由此来防止形成有缺陷图案的透明电极。

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