[发明专利]微涡卷叶片及微涡卷基板的制造方法无效
| 申请号： | 200810177003.7 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101456532A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 俞度立 | 申请（专利权）人： | 俞度立 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;F04C18/02;F04C27/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 100054北京市丰台区菜*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微涡卷 叶片 微涡卷基板 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.微涡卷叶片的制造方法，包括如下步骤：
a、SOI硅片作为起始材料；
b、各向异性的刻蚀硅片形成曲线和涡卷叶片；
c、刻蚀在硅片表面的二氧化硅层停止,
其特征在于：所述微涡卷叶片为动涡卷叶片或定涡卷叶片。
2.根据权利要求1所述的微涡卷叶片的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
a、SOI晶片作为起始材料；
b、正面深度刻蚀在硅片上形成叶片；
c、单向刻蚀在二氧化硅层上停止；
d、各向异性的刻蚀二氧化硅层打通深洞；
e、洞内壁面绝缘层等厚度沉积；
f、洞内金属电镀。
3.微涡卷基板的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
a、SOI硅片作为起始材料；
b、正面深度刻蚀在硅片上形成叶片；
c、单向刻蚀在二氧化硅层上停止；
d、再从背面刻蚀，由深度反应等离子刻蚀，刻蚀同样停止在二氧化硅层上；
e、各向异性的刻蚀二氧化硅层打通深洞；
f、洞内壁面绝缘层等厚度沉积；
g、洞内金属电镀。
4.根据权利要求3所述的微涡卷基板的制造方法，其特征在于还包括如下步骤：
h、平面氮化硅物沉淀在正面。
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