[发明专利]微定涡卷叶片内制造电极的方法无效
| 申请号： | 200810177004.1 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101456533A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 俞度立 | 申请（专利权）人： | 俞度立 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;F04C29/00;F04C18/02 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 100054北京市丰台区菜*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微定涡卷 叶片 制造 电极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.微定涡卷叶片内制造电极的方法，其特征在于包括如下步骤：
a、SOI硅片作为出发材料，和；
b、各向异性的从反面刻蚀，并停留在二氧化硅层；
c、各向异性的刻蚀二氧化硅层；
d、各向异性硅刻蚀到指定深度形成深洞；
e、洞里绝缘层等厚度沉积；
f、洞内金属电镀工艺填充、或多晶体硅填充。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤e中的绝缘层 的材料，首选二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤f中的金属， 首选金。
4.微定涡卷叶片内制造电极的方法，其特征在于包括如下步骤：
a、SOI硅片作为出发材料，和；
b、各向异性的从反面刻蚀，并停留在二氧化硅层；
c、各向异性的从正面刻蚀，并停留在二氧化硅层；
d、各向异性的刻蚀二氧化硅层打通深洞；
e、洞内壁面绝缘层等厚度沉积；
f、洞内金属电镀填充、或多晶体硅填充；
g、平面氮化硅物或碳化硅沉淀在叶片正面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤e中的绝缘层 的材料，首选二氧化硅。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤f中的金属， 首选金。
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