[发明专利]光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模，其特征在于，具有：

遮挡光的遮光部；和

控制所述光的强度的光强度差部，

所述遮光部设置在所述光强度差部与透过所述光的透过区域的边界的至少一部分。

2.一种光掩模，其特征在于，具有：

遮挡光的遮光部；和

控制所述光的强度的光强度差部，

所述遮光部设置在所述光强度差部的周围。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

位于所述光强度差部周围的所述遮光部，俯视下为0.10μm以上、1.00μm以下的宽度。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的光掩模，其特征在于，所述光强度差部以半色调构成。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的光掩模，其特征在于，所述光强度差部由多个缝隙构成。

6.一种半导体装置，使用权利要求1至5中任意一项所述的光掩模制造而成，其特征在于，具有：

形成在基板上的半导体膜；和

向所述半导体膜注入了高浓度杂质的源极区域及漏极区域，

所述半导体膜具有没有向所述源极区域及所述漏极区域的周围注入所述高浓度杂质的区域，并且形成为所述高浓度杂质的注入量从各个区域的大致中心向周围的方向依次减少。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极区域及所述漏极区域，按所述高浓度杂质的注入量之差被圆状的区域包围。

8.一种半导体装置的制造方法，使用权利要求1至5中任意一项所述的光掩模制造半导体装置，其特征在于，具有：

在基板上形成半导体膜的工序；

在所述半导体膜上形成抗蚀前体膜的工序；

经由配置在所述抗蚀前体膜上方的所述光掩模，向所述抗蚀前体膜照射曝光光的工序；

对所述抗蚀前体膜进行显影，形成抗蚀膜的工序；和

利用所述抗蚀膜对所述半导体膜实施处理的工序。