[发明专利]用于集成电路元件的高速低功率输入缓冲器有效
申请号: | 200810177635.3 | 申请日: | 2005-07-19 |
公开(公告)号: | CN101399077A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 道格拉斯·布莱恩·巴特乐 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司(新加坡子公司) |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 新加坡608840*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 元件 高速 功率 输入 缓冲器 | ||
1.一集成电路输入缓冲器,其特征在于其包括:
一输入终端,接收一输入电压信号;
一输出终端,当该输入缓冲器处于操作阶段时,提供一输出电压信号,以回应该输入电 压信号;以及
一参考电压接线端,当该输入缓冲器处于可选操作校准阶段时,提供一参考电压信号给
该输入缓冲器;
当该输入电压准位高于该参考电压准位时,输出节点电压准位驱动为低;
当该输入电压准位低于该参考电压准位时,输出节点电压准位驱动为高;
该集成电路输入缓冲器,其特征在于其中所述的参考电压接线端耦接到该输入缓冲器,
以回应一第一校准信号;
该集成电路输入缓冲器,其特征在于其中所述的输入终端耦接到该输入缓冲器,以回应
一第二补偿校准信号。
2.一种操作用于一集成电路元件的一输入缓冲器的方法,该集成电路元件具有一输入电 压和一参考电压,其特征在于该方法包括以下步骤:
提供一PMOS晶体管,该PMOS晶体管耦接到一第一节点;
提供一NMOS晶体管,该NMOS晶体管耦接到一第二节点;
提供一输出节点位于该PMOS晶体管和该NMOS晶体管中间;
当该输入电压的一第一电压等于该参考电压的一第二电压时,提供一第一准位的直通电 流给该输入缓冲器的该输出节点;以及
当该第一电压不等于该第二电压时,提供小于第一准位的一第二准位的直通电流给该输 出节点,且当该第一电压大于该第二电压时,该输出节点电压准位驱动为低,当该第一电压 小于该第二电压时,该输出节点电压准位驱动为高。
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