[发明专利]在具有瞬态抑制二极管的滤波器中实现线性电容的器件及方法

权利要求书

1.一种电子器件，其受到集成有电磁干扰滤波器的双向对称模块化瞬态抑制二极管电路保护，其中：

集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管还包括并联在输入端与接地端之间的至少一个稳压二极管与若干个电容，其中，当在所述输入端与所述接地端之间设置反向偏压时，所述输入端与所述接地端之间的总电容值处于一个恒定值；并且

集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管由一半导体衬底支持，所述的若干个电容包括若干开设在半导体衬底上的填充有绝缘材料的浅槽，并且，所述的浅槽由包括一个氮化物绝缘层和一个氧化物绝缘层组成的组合绝缘层进行填充。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中：

所述的电磁干扰滤波器还包括一个对称滤波器，在该对称滤波器中，连接所述输入端和连接所述接地端的电容的数量是相同的。

3.如权利要求1所述的电子器件，其中：

所述的电磁干扰滤波器还包括一个具有相同数量的开设在半导体衬底上的浅槽的对称滤波器，所述浅槽由所述的包括一个氮化物绝缘层和一个氧化物绝缘层组成的组合绝缘层进行填充，其作用相当于连接在所述输入端与所述接地端之间的电容。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中：

集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管由一半导体衬底支持，其中，所述的输入端形成于位于所述半导体衬底上的第一掺杂区域，所述接地端形成于所述半导体衬底上的第二掺杂区域；并且

所述半导电衬底进一步包括设置在所述第一和第二掺杂区域之间的独立深沟槽。

5.如权利要求1所述的电子器件，其中：

集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管由一具有第一种导电形式的半导体衬底支持，所述的输入端形成于位于半导体衬底上的第一掺杂区域中，所述的接地端形成于位于半导体衬底上的第二掺杂区域中，其中所述的第一及第二掺杂区域以第二种导电形式掺杂，由此，第一和第二稳压二极管就可以形成于具有所述第二种导电形式的第一和第二掺杂区域以及具有所述第一种导电形式的所述半导体衬底之间。

6.一种集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管电路，其由具有第一种导电形式的半导体衬底支持，所述的瞬态抑制二极管电路进一步包括：

具有第二种导电形式的第一和第二掺杂区域与所述的具有第一种导电形式的半导体衬底共同作用形成第一和第二稳压二极管，以及第一和第二组具有相同数量的开设于所述的第一和第二掺杂区域上的由绝缘材料和半导体栅极填充的浅槽，从而作为金属氧化物半导体电容，所述的金属氧化物半导体电容由包括一个氮化绝缘层和一个氧化绝缘层的组合绝缘层进行填充。

7.如权利要求6所述的集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管还包括：

设置在所述第一和第二掺杂区域之间的独立深沟槽。

8.如权利要求6所述的集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管还包括：

包括第一金属触点的输入端，第一金属触点将所述第一掺杂区域电连接到输入电压，以及包括第二金属触点的接地端，第二金属触点将所述第二掺杂区域电连接到接地电压。

9.如权利要求6所述的集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管还包括：

具有第二种导电形式的第三和第四掺杂区域与所述的具有第一种导电形式的半导体衬底共同作用形成第三和第四稳压二极管，以及第三和第四组具有相同数量的开设于所述的第一和第二掺杂区域上的由绝缘材料和半导体栅极填充的浅槽，由包括一个氮化绝缘层和一个氧化绝缘层的组合绝缘层进行填充，以作为结电容。

10.如权利要求9所述的集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管还包括：

设置于所述第一和第二掺杂区域之间的独立深沟槽。

11.如权利要求9所述的集成有电磁干扰滤波器的瞬态抑制二极管还包括：

包括第三金属触点的输出端，第三金属触点将所述第三掺杂区域电连接到输出电压，以及包括第四金属触点的接地端，第四金属触点将所述第四掺杂区域电连接到接地电压，其中，所述的第四掺杂区域设置在所述的第二掺杂区域旁边。