[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置，其特征在于，

具备：

由氮化物半导体构成的p型接触层；

p电极，由在所述p型接触层上依次形成的第一Pd膜和Ta膜、以及在所述Ta膜上部的整个面上形成的第二Pd膜构成；以及

形成在所述p电极上的焊盘电极，

构成所述p电极的第二Pd膜的膜厚为50nm以上且150nm以下，

所述p电极含有氧原子，

所述氧原子在构成所述p电极的Ta膜中以浓度分布具有峰值的方式分布。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

所述焊盘电极含有Ti膜而构成，

所述Ti膜与构成所述p电极的所述第二Pd膜接触地形成。

3.如权利要求2所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

所述焊盘电极是

在所述p电极上依次形成所述Ti膜、Pd膜、另一个Ti膜以及Au膜而成的Ti/Ta/Ti/Au的四层结构、或者

在所述p电极上依次形成所述Ti膜、Mo膜、另一个Ti膜以及Au膜而成的Ti/Mo/Ti/Au的四层结构。

4.一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备：

p电极形成工序，在由氮化物半导体构成的p型接触层上依次形成第一Pd膜以及Ta膜，作为防止所述Ta膜氧化的防氧化膜在所述Ta膜上部的整个面上形成第二Pd膜，由此，形成由所述第一Pd膜、所述Ta膜以及所述第二Pd膜构成的p电极；以及

热处理工序，对所形成的所述p电极进行热处理，

在所述p电极形成工序中，将所述第二Pd膜形成为50nm以上且150nm以下的膜厚。

5.如权利要求4所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述热处理工序中，在热处理温度为400℃以上且500℃以下的范围，对所述p电极进行热处理。

6.如权利要求4所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述热处理工序中，在氧浓度为10％以上且50％以下的环境下，对所述p电极进行热处理。

7.如权利要求4所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述p电极形成工序中，控制环境中的氧浓度，进行所述第一Pd膜、所述Ta膜以及所述第二Pd膜中的至少一种的成膜。

8.如权利要求4所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述热处理工序之后，

还具备除去所述第二Pd膜的表面部的除去工序。

9.如权利要求8所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述除去工序之后，

还包括在所述第二Pd膜上形成焊盘电极的焊盘电极形成工序。

10.如权利要求8或9所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述除去工序中，利用刻蚀，除去所述第二Pd膜的表面部。