[发明专利]晶背的封装结构无效
| 申请号： | 200810178155.9 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740525A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴俊泰;邱恒德 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 | ||
1.一种晶背的封装结构，其特征在于，所述晶背的封装结构包括：
一半导体基材；以及
一多层结构层，设置于所述半导体基材的底部，其中：
所述多层结构层包括形成于所述半导体基材的一层二氧化硅层，以及设 置于所述二氧化硅层的至少一双层结构组，所述双层结构组包括设置于所述 二氧化硅层上的多晶硅层以及设置于所述多晶硅层上的另一二氧化硅层，以 令整体封装结构的外层为二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的晶背的封装结构，其特征在于，最外层的二氧化 硅层的径向尺寸小于所述多晶硅层。
3.如权利要求1或2所述的晶背的封装结构，其特征在于，任一多晶硅 层是以化学汽相沉积法、物理汽相沉积法或电镀法所沉积而成。
4.如权利要求1或2所述的晶背的封装结构，其特征在于，任一二氧化 硅层是以化学汽相沉积法、物理汽相沉积法、阳极沉积法或热氧化法所成长 而成。
5.一种晶背的封装结构，其特征在于，所述晶背的封装结构包括：
一半导体基材；以及
一多层结构层，设置于所述半导体基材的底部，其中：
所述多层结构层包括形成于所述半导体基材的一层多晶硅层，以及设置 于所述多晶硅层的至少一双层结构组，所述双层结构组包括设置于所述多晶 硅层上的二氧化硅层以及设置于所述二氧化硅层上的另一多晶硅层，以令整 体封装结构的外层为多晶硅层。
6.如权利要求5所述的晶背的封装结构，其特征在于，所述晶背的封装 结构尚包括另一二氧化硅层，是设置在所述多层结构层异于半导体基材的一 表面。
7.如权利要求6所述的晶背的封装结构，其特征在于，最外层二氧化硅 层的径向尺寸小于所述多层结构层。
8.如权利要求5至7中任一权利要求所述的晶背的封装结构，其特征在 于，任一多晶硅层是以化学汽相沉积法、物理汽相沉积法或电镀法所沉积而 成。
9.如权利要求5至7中任一权利要求所述的晶背的封装结构，其特征在 于，任一二氧化硅层是以化学汽相沉积法、物理汽相沉积法、阳极沉积法或 热氧化法所成长而成。
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