[发明专利]半导体基材清洁装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体基材清洁装置及掩模清洁装置，特别是一种用 于半导体工艺中自半导体基材及掩模表面去除污染物质的装置。

背景技术

在半导体工艺中，半导体基材或掩模的清洁是很重要的步骤。在清洁 时需针对半导体基材或掩模表面残留的有机物质、污染物、化学残留物等， 都必须有效率且彻底的清洁，否则被污染过的掩模在后续的工艺中会造成 产品良率(yield)的严重损失。

请参考图1所示，是现有一种掩模清洁装置的侧面示意图。此掩模清 洁装置100是通过一设置于旋转平台110上的水平式掩模固定单元120来 固定掩模R，再通过一活动式清洗喷嘴130，以产生强力的水流或气流冲 击掩模R的表面。然而，这样的喷嘴130设计所喷出的水流或气流其面积 有限，很明显地，仅清洁掩模R的其中一表面就花费相当长的时间，且当 要清洁掩模R另一表面时，需将掩模R重新翻面并加以固定及再次清洁， 是相当耗时及不安全。而且，在清洁过程中，由于旋转平台110必须通过 水平旋转产生离心力以使得微粒或污染物不易附着，当旋转平台110其转 速提高时，掩模R是有可能因此而脱落，造成掩模R边缘的破裂。

有鉴于此，本发明所提供的半导体基材清洁装置及掩模清洁装置，乃 针对先前技术加以改良者。

发明内容

鉴于发明背景中，所述的现有掩模清洁装置的缺点及问题，本发明的 主要目的在于提供一种半导体基材及掩模清洁装置，是将喷嘴设计成一细 长形开口，能使流体均匀且大量的喷出，故可有效地将半导体基材及掩模 其表面的微粒或污染物去除，以提高半导体工艺其良率。

本发明的另一目的在于提供一种半导体基材及掩模清洁装置，清洁装 置其喷嘴设计是一细长形开口，能使流体均匀且大量的喷出，以减少清洁 所花费的时间。

本发明的又一目的在于提供一种半导体基材及掩模清洁装置，清洁装 置其喷出的流体其方向是可调整角度的，故可依照微粒或污染物的特性、 半导体基材及掩模其尺寸或材质的不同，而来调整清洁装置其喷出的流体 至最佳的喷出角度。

本发明的再一目的在于提供一种半导体基材及掩模清洁装置，清洁装 置可同时清洁掩模其两表面，以彻底且快速的方式完成清洁的动作，争取 更多时效。

本发明的又再一目的在于提供一种半导体基材及掩模清洁装置，其包 含至少一回收装置，可立即地回收喷出的流体及掉落的微粒或污染物质， 以避免掉落的微粒或污染物质再次吸附到半导体基材及掩模表面。

本发明提供的半导体基材或掩模清洁装置，包括一工作平台、一基座 及一活动式清洁单元，上述基座，是由两个互相平行的垂直基板组成，垂 直基板具有一底端及一顶端，垂直基板的底端是设置于工作平台上，而垂 直基板的顶端是枢设有活动式清洁单元，其中活动式清洁单元至少具有一 细长形出口，用以传送一流体至一半导体基材或一掩模的一表面。

此外，本发明的清洁装置亦可以包含有两个活动式清洁单元，在活动 式清洁单元的间是具有一空间以容置一掩模，以允许清洁装置同时清洁掩 模其两个表面。

有关本发明的特征与实作，兹配合图示作最佳实施例详细说明如下。

附图说明

图1是现有一种掩模清洁装置的侧面示意图；

图2是本发明的一清洁装置全视图；

图3是本发明的清洁装置其基座及活动式清洁单元全视图；

图4是本发明的清洁装置其活动式清洁单元的一侧面剖视图；

图5是本发明的活动式清洁单元的另一设计；

图6是本发明的清洁装置另一实施例的示意图；及

图7是本发明的另一清洁装置全视图。

【主要元件符号说明】

工作平台 10

基座 20

垂直基板 21，22

底端 211，221

顶端 212，222

内垂直基板 211’，221’

外垂直基板 212’，222’

活动式清洁单元 30，30A，30B

细长形出口 31

上盖 32

下盖 33

流体容置空间 34

流体入口 35

快速接头 36

管路 37