[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种将位线对预先充电至地电势的半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：

读出放大器，连接在位线对之间；

存储单元，连接到所述位线对中的一条并且存储数据；

第一晶体管，控制所述位线对中的另一条和基准单元节点之间的导通状态；

第二晶体管，连接在产生基准电压的基准电压源和基准单元节点之间，所述第二晶体管由所述第一晶体管排他地控制；以及

电容器，设定所述基准单元节点的电势，其中

当所述第二晶体管处于所述导通状态时，所述半导体存储装置通过使用在所述基准单元节点和所述第二晶体管之间流动的电流的负相电流来协助所述电容器充电和放电。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述电容器被连接在偏置节点和所述基准单元节点之间，并且根据存储的电荷量设定所述基准单元节点的电势，所述偏置节点提供有由偏置电压产生电路产生的偏置电压，以及

当所述第二晶体管处于所述导通状态时，电连接所述基准单元节点和所述偏置节点，使得产生在所述基准单元节点和所述第二晶体管之间流动的所述电流的负相电流，以协助所述电容器的充电和放电。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述基准电压源和所述偏置电压产生电路由一个电源电路形成。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中在所述偏置节点和所述基准单元之间的配线阻抗低于在所述基准单元节点和所述基准电压源之间的配线阻抗。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中由所述偏置电压产生电路产生的电压被施加到没有连接到所述位线对中的一条的所述存储单元的另一端。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

第三晶体管，控制所述位线对中的一条和第二基准单元节点之间的导通状态；

第四晶体管，连接在所述第二基准单元节点和所述第二晶体管之间，所述第四晶体管由所述第三晶体管排他地控制；以及

第二电容器，连接到所述第二基准单元节点，并且根据存储的电荷量设定所述第二基准单元节点的电势，其中

所述第二晶体管和所述第四晶体管被电连接，使得产生在所述基准单元节点和所述第二晶体管之间流动的所述电流的负相电流，以协助所述电容器的充电和放电。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中没有连接到所述第一基准单元的所述第二晶体管的另一端与没有连接到所述第二基准单元节点的所述第四晶体管的另一端被共同连接到所述基准电压源。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述基准电压源产生基本上为所述半导体存储装置的电源电压的一半的电压。

9.一种将位线对预先充电至地电势的半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：

读出放大器，连接在所述位线对之间；

存储单元，连接到所述位线对中的一条并且存储数据；

第一晶体管，控制所述位线对中的另一条和第一基准单元节点之间的导通状态；

第二晶体管，连接到所述第一基准单元节点，并且由所述第一晶体管排他地控制；

第一电容器，连接到所述第一基准单元节点，并且根据存储的电荷量设定所述第一基准单元节点的电势；

第三晶体管，控制所述位线对中的一条和第二基准单元节点之间的导通状态；

第四晶体管，连接在所述第二基准单元节点和所述第二晶体管之间，并且由所述第三晶体管排他地控制；

第二电容器，连接到所述第二基准单元节点，并且根据存储的电荷量设定所述第二基准单元节点的电势；以及

控制电路，当所述第二晶体管和所述第四晶体管处于导通状态时，选择性地控制电连接所述基准单元节点与所述偏置节点的状态以及电连接所述第二晶体管与所述第四晶体管的状态中的一个或二者。