[发明专利]多功能芯片无效
| 申请号： | 200810178210.4 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740563A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨进盛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多功能 芯片 | ||
1.一种多功能芯片，包括：
电路，具有多个功能，且该电路包括内连线，该内连线具有至少一电阻值可变区段；以及
至少一控制电路，与该至少一电阻值可变区段电性连接，其中通过该控制电路改变该电阻值可变区段的电阻值而实现这些功能中的一种功能。
2.如权利要求1所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段的材料包括巨磁阻材料或相变材料。
3.如权利要求1所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段包括整条导线、部分导线、整条插塞或部分插塞。
4.如权利要求1所述的多功能芯片，其中该电阻值可变区段为熔丝的一部分。
5.如权利要求4所述的多功能芯片，其中该熔丝包括铜熔丝、铝熔丝或电子熔丝。
6.如权利要求1所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段的电阻值为可逆的。
7.一种多功能芯片，包括：
第一电路，具有第一功能；
第二电路，具有第二功能，其中该第一电路与该第二电路共用至少一半导体元件与内连线的一部分，该内连线的该部分具有至少一电阻值可变区段；以及
至少一控制电路，与该至少一电阻值可变区段电性连接，其中通过该控制电路改变该电阻值可变区段的电阻值而实现该第一功能或该第二功能。
8.如权利要求7所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段的材料包括巨磁阻材料或相变材料。
9.如权利要求7所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段包括整条导线、部分导线、整条插塞或部分插塞。
10.如权利要求7所述的多功能芯片，其中该电阻值可变区段为熔丝的一部分。
11.如权利要求10所述的多功能芯片，其中该熔丝包括铜熔丝、铝熔丝或电子熔丝。
12.如权利要求7所述的多功能芯片，其中该至少一电阻值可变区段的电阻值为可逆的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810178210.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空调进气孔过滤装置
- 下一篇：空调机组挡水装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
