[发明专利]输出振荡信号的半导体装置无效
申请号: | 200810178273.X | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101436858A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 光井克吉 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H03L7/06 | 分类号: | H03L7/06;H03L7/08;G05F3/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 振荡 信号 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
电压控制振荡电路,以与第一控制电压对应的频率进行振荡,由此, 输出振荡信号;
频率/电压变换电路,将从所述电压控制振荡电路接受的所述振荡信 号的频率变换为电压;
控制电压生成电路,生成新的第二控制电压,该新的第二控制电压 具有由所述频率/电压变换电路变换后的所述电压和前次生成的第二控 制电压之间的电平;
模拟积分电路,对所述第二控制电压进行积分,由此,生成所述第 一控制电压,并将所述第一控制电压向所述电压控制振荡电路输出。
2.根据权利要求1的半导体装置,其中,
所述频率/电压变换电路包含电容器,以所述振荡信号的一个周期或 多个周期的时间宽度对所述电容器进行充电,由此,将所述振荡信号的 频率变换为电压。
3.根据权利要求1的半导体装置,其中,
所述半导体装置还具备恒定电流生成电路,该恒定电流生成电路包 含进行二极管连接的MOS晶体管,并且将通过所述MOS晶体管流过的 电流作为恒定电流进行输出,
所述频率/电压变换电路包含电容器,基于所述振荡信号,使用所述 恒定电流对所述电容器进行充电,由此,将所述振荡信号的频率变换为 电压。
4.根据权利要求3的半导体装置,其中,
所述恒定电流生成电路包含:串联连接的多个所述MOS晶体管; 多个开关,与所述MOS晶体管对应地配置,切换是否使对应的所述MOS 晶体管的第一导通电极和第二导通电极间短路。
5.根据权利要求3的半导体装置,其中,
所述半导体装置还具备恒定电流放大电路,该恒定电流放大电路对 从所述恒定电流生成电路接受的所述恒定电流进行放大并向所述频率/ 电压变换电路输出,并且所述恒定电流的放大率能够改变。
6.根据权利要求5的半导体装置,其中,
所述模拟积分电路包含:电阻,具有接受所述第二控制电压的第一 端和第二端;电容器,具有与所述电阻的第二端接合的第一端和第二端; 差动放大器,具有接受基准电压的非反转输入端子、与所述电阻的第二 端接合的反转输入端子、与所述电容器的第二端接合的输出端子,
在所述差动放大器中流过与所述被放大后的恒定电流成比例的电 流。
7.根据权利要求5的半导体装置,其中,
所述半导体装置还具备电压跟随器电路,该电压跟随器电路连接在 所述模拟积分电路和所述电压控制振荡电路之间、并且流过与所述被放 大后的恒定电流成比例的电流。
8.根据权利要求1的半导体装置,其中,
所述频率/电压变换电路包含第一电容器,基于所述振荡信号,使用 恒定电流对所述第一电容器进行充电,由此,将所述振荡信号的频率变 换为电压,
所述控制电压生成电路包含:第二电容器;开关,切换所述第一电 容器和所述第二电容器的连接以及非连接,
将所述开关和所述第二电容器的连接节点上的电压作为所述第二 控制电压向所述模拟积分电路输出。
9.根据权利要求1的半导体装置,其中,
所述模拟积分电路包含:
电阻,具有接受所述第二控制电压的第一端和第二端;
电容器,具有与所述电阻的第二端接合的第一端和第二端;
差动放大器,具有接受能够改变的基准电压的非反转输入端子、与 所述电阻的第二端接合的反转输入端子、与所述电容器的第二端接合的 输出端子。
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