[发明专利]光传感器和显示装置有效
申请号: | 200810178475.4 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101447523A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 伊藤良一;山中刚 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L27/144;G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 显示装置 | ||
1.一种光传感器,包括具有光接收部的半导体薄膜,所述光传感器包括:
基板,包括具有凹槽宽度朝向凹槽的开口端逐渐增加的正锥形的倾斜侧壁的凹槽;
反射材料层,沿所述基板的所述凹槽而设置;
绝缘层,覆盖其上具有所述反射材料层的所述基板;以及
半导体薄膜,设置在所述绝缘层上以跨过所述反射材料层,其中
所述半导体薄膜的光接收部仅设置在所述反射材料层覆盖的所述凹槽上方,
所述半导体薄膜在夹置所述光接收部的、比所述凹槽的底部高的位置处具有与所述光接收部不同的掺杂区。
2.根据权利要求1所述的光传感器,其中,半导体薄膜包括用作所述光接收部的i掺杂区、p掺杂区和n掺杂区,使得所述p掺杂区和所述n掺杂区夹置比前述凹槽的底部高的所述i掺杂区。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述反射材料层连接至所述p掺杂区和所述n掺杂区中的一个。
4.根据权利要求3所述的光传感器,还包括:
透光层间绝缘膜,覆盖所述半导体薄膜;以及
互连线,设置在所述层间绝缘膜上,所述互连线经由配置在所述层间绝缘膜中的接触孔连接到所述p掺杂区或所述n掺杂区,其中
所述反射材料层通过所述互连线连接到所述p掺杂区和所述n掺杂区中的一个。
5.根据权利要求1所述的光传感器,其中
所述半导体薄膜具有一个用作所述光接收部的第一导电型掺杂区和两个第二导电型掺杂区,使得所述第二导电型掺杂区夹置所述光接收部,以及
所述反射材料层被用作栅电极。
6.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述i掺杂区感应可见光和非可见光。
7.一种显示装置,包括基板、像素部和光传感器,使得所述像素部和所述光传感器设置在所述基板的一个表面上,所述光传感器包括:
反射材料层,沿配置在所述基板中的凹槽而设置,所述凹槽具有凹槽宽度朝向凹槽的开口端逐渐增加的正锥形的倾斜侧壁;
绝缘层,覆盖其上具有所述反射材料层的所述基板;以及
半导体薄膜,设置在所述绝缘层上以跨过所述反射材料层,其中
所述半导体薄膜的光接收部仅设置在所述反射材料层覆盖的所述凹槽上方,
所述半导体薄膜在夹置所述光接收部的、比所述凹槽的底部高的位置处具有与所述光接收部不同的掺杂区。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中
所述像素部具有用于像素驱动的薄膜晶体管,
构成所述光传感器的所述半导体薄膜包括与构成所述薄膜晶体管的有源层的半导体薄膜相同的层,以及
所述反射材料层包括与所述薄膜晶体管的栅电极相同的层。
9.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:
相对基板,被配置为面向设置在所述基板的表面上的所述光传感器;以及
液晶层,被配置在所述基板和所述相对基板之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:
背光,设置在所述基板的另一表面上。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述背光发射可见光和非可见光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的