[发明专利]光传感器和显示装置有效

专利信息
申请号: 200810178475.4 申请日: 2008-12-01
公开(公告)号: CN101447523A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 伊藤良一;山中刚 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L31/105 分类号: H01L31/105;H01L27/144;G02F1/133;G02F1/1362
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 传感器 显示装置
【权利要求书】:

1.一种光传感器,包括具有光接收部的半导体薄膜,所述光传感器包括:

基板,包括具有凹槽宽度朝向凹槽的开口端逐渐增加的正锥形的倾斜侧壁的凹槽;

反射材料层,沿所述基板的所述凹槽而设置;

绝缘层,覆盖其上具有所述反射材料层的所述基板;以及

半导体薄膜,设置在所述绝缘层上以跨过所述反射材料层,其中

所述半导体薄膜的光接收部仅设置在所述反射材料层覆盖的所述凹槽上方,

所述半导体薄膜在夹置所述光接收部的、比所述凹槽的底部高的位置处具有与所述光接收部不同的掺杂区。

2.根据权利要求1所述的光传感器,其中,半导体薄膜包括用作所述光接收部的i掺杂区、p掺杂区和n掺杂区,使得所述p掺杂区和所述n掺杂区夹置比前述凹槽的底部高的所述i掺杂区。

3.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述反射材料层连接至所述p掺杂区和所述n掺杂区中的一个。

4.根据权利要求3所述的光传感器,还包括:

透光层间绝缘膜,覆盖所述半导体薄膜;以及

互连线,设置在所述层间绝缘膜上,所述互连线经由配置在所述层间绝缘膜中的接触孔连接到所述p掺杂区或所述n掺杂区,其中

所述反射材料层通过所述互连线连接到所述p掺杂区和所述n掺杂区中的一个。

5.根据权利要求1所述的光传感器,其中

所述半导体薄膜具有一个用作所述光接收部的第一导电型掺杂区和两个第二导电型掺杂区,使得所述第二导电型掺杂区夹置所述光接收部,以及

所述反射材料层被用作栅电极。

6.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述i掺杂区感应可见光和非可见光。

7.一种显示装置,包括基板、像素部和光传感器,使得所述像素部和所述光传感器设置在所述基板的一个表面上,所述光传感器包括:

反射材料层,沿配置在所述基板中的凹槽而设置,所述凹槽具有凹槽宽度朝向凹槽的开口端逐渐增加的正锥形的倾斜侧壁;

绝缘层,覆盖其上具有所述反射材料层的所述基板;以及

半导体薄膜,设置在所述绝缘层上以跨过所述反射材料层,其中

所述半导体薄膜的光接收部仅设置在所述反射材料层覆盖的所述凹槽上方,

所述半导体薄膜在夹置所述光接收部的、比所述凹槽的底部高的位置处具有与所述光接收部不同的掺杂区。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中

所述像素部具有用于像素驱动的薄膜晶体管,

构成所述光传感器的所述半导体薄膜包括与构成所述薄膜晶体管的有源层的半导体薄膜相同的层,以及

所述反射材料层包括与所述薄膜晶体管的栅电极相同的层。

9.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:

相对基板,被配置为面向设置在所述基板的表面上的所述光传感器;以及

液晶层,被配置在所述基板和所述相对基板之间。

10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:

背光,设置在所述基板的另一表面上。

11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述背光发射可见光和非可见光。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810178475.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top