[发明专利]灰色调掩模的制造方法和灰色调掩模以及图案转印方法

权利要求书

1、一种灰色调掩模的制造方法，所述灰色调掩模使曝光光线对被转印体的照射量按照部位选择地降低，并对被转印体上的光敏抗蚀剂形成含有残膜值不同的部分的所希望的转印图案，且该灰色调掩模具有透光部、遮光部以及透过曝光光线的一部分的半透光部，所述灰色调掩模的制造方法，其特征在于：

准备在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜的灰色调掩模板，对该灰色调掩模板施加第一次构图，在包含被构图的遮光膜和露出的半透光膜的透明基板整个表面上形成抗蚀剂膜之后，通过实施第二次构图，对该半透光膜和该遮光膜分别进行预定的构图，从而形成灰色调掩模，

相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率与相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差被调整为35％以下。

2、一种灰色调掩模的制造方法，所述灰色调掩模使曝光光线对被转印体的照射量按照部位选择地降低，并对被转印体上的光敏抗蚀剂形成含有残膜值不同的部分的所希望的转印图案，且该灰色调掩模具有透光部、遮光部以及透过曝光光线的一部分的半透光部，所述灰色调掩模的制造方法，其特征在于：

对在透明基板上形成有遮光膜的灰色调掩模板施加第一次构图，在包含被构图的遮光膜的透明基板整个表面上形成半透光膜，形成该半透光膜之后，通过实施第二次构图，对该半透光膜和该遮光膜分别进行预定的构图，从而形成灰色调掩模，

相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率与相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差被调整为35％以下。

3、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率和相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差被调整为20％以下。

4、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述半透光膜将相对于使用所述灰色调掩模时适用的曝光光线的表面反射率调整为10％以上。

5、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述半透光膜的相对于所述第二次构图时的描绘光的表面反射率被调整为45％以下。

6、根据权利要求5所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述半透光膜的相对于所述第二次构图时的描绘光的表面反射率被调整为30％以下。

7、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述半透光膜和所述遮光膜各自被构图时，相对于抗蚀剂膜所使用的描绘光都是预定波长在300nm～450nm范围内的光。

8、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述遮光膜是通过组成不同的膜的层叠而成的膜，或者是在膜厚方向上组成倾斜的膜。

9、根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法，其特征在于：所述灰色调掩模是对于含有365nm～436nm范围内的预定区域的曝光光线而使用的。

10、一种灰色调掩模，是通过根据权利要求1或2所述的灰色调掩模的制造方法所制造的。

11、根据权利要求10所述的灰色调掩模，其特征在于：相对于预定线宽的线宽偏差在±0.35μm以内。

12、根据权利要求11所述的灰色调掩模，其特征在于：相对于预定线宽的线宽偏差在±0.20μm以内。

13、一种图案转印方法，具有使用权利要求1或2所述的制造方法所得到的灰色调掩模而对被转印体照射曝光光线的曝光工序，且在被转印体上形成含有残膜值不同的部分的预定转印抗蚀剂图案。

14、一种图案转印方法，具有使用权利要求11所述的灰色调掩模而对被转印体照射曝光光线的曝光工序，并在被转印体上形成含有残膜值不同的部分的预定转印抗蚀剂图案。

15、一种图案转印方法，具有使用权利要求12所述的灰色调掩模对被转印体照射曝光光线的曝光工序，并在被转印体上形成含有残膜值不同的部分的预定转印抗蚀剂图案。