[发明专利]用于光伏应用的抗反射涂层

权利要求书

1.一种制造包含含有p-n结的硅基质的光伏设备的方法，其中该方法 包括步骤：

通过在至少一个硅基质的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳 化硅抗反射涂层，其中该组合物包含由有机硅烷、氨基硅烷及其混合物组成 的组中选择的前体，

其中该无定形碳化硅抗反射涂层是由式Si_vC_xN_uH_yF_z表示的薄膜，其中 v+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y 为10-50原子％且z为0-15原子％；

其中所述前体是由下述组成的组中选择的前体：

(a)式(NR¹SiR¹R³)_x的环硅氮烷，其中R¹和R³独立地为H、C₁-C₄的烃， 其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全 部氟化的；且x为2-8的整数；

(b)式(CR¹R³SiR¹R³)_x的环碳硅烷，其中R¹和R³独立地为H、C₁-C₄的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部 分或全部氟化的；且x为2-8的整数；

(c)式(R¹_nR²_mR³_oR⁴_p)_tSi-H_4-t的非环烷基硅烷，其中R¹-R⁴为C₁-C₄的烃， 其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全 部氟化的；且t＝n+m+o+p。

(d)R¹_n(NR²)_4-nSi的化合物，其中R¹独立地为H或C₁-C₄的烃，其中所 述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化 的烃；R²独立地为C₁-C₆的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或 多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃；且n为0-3；

(e)式R¹_n(NR²)_3-nSi-SiR³_m(NR⁴)_3-m的化合物，其中R¹和R³独立地为H 或C₁-C₄的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环 状的，部分或全部氟化的烃；R²和R⁴独立地为C₁-C₆的烃，其中所述烃是 直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃； 且n为0-3；m为0-3；

(f)式R¹_n(NR²)_3-nSi-R⁵-SiR³_m(NR⁴)_m-3的化合物，其中R¹和R³独立地为 H或C₁-C₄的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的， 环状的，部分或全部氟化的烃；R²、R⁴和R⁵独立地为C₁-C₆的烃，其中所 述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化 的烃，可选择地，R⁵为胺或有机胺基团；n为0-3；且m为0-3；

(g)式(R¹_n(NR²)_3-nSi)_tCH_4-t的化合物，其中R¹独立地为H或C₁-C₄的 烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分 或全部氟化的烃；R²独立地为C₁-C₆的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱 和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃；n为0-3；且t为 1-3；和

(h)式(R¹_n(NR²)_3-nSi)_tNH_3-t，其中R¹独立地为H或C₁-C₄的烃，其中所 述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化 的烃；R²独立地为C₁-C₆的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或 多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃；且n为0-3；

或者

所述前体是选自由下述组成的组中的前体：

a)R¹_n(NR²)_4-nSi，其中R¹独立地为H或C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直 链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的；R²独立地为C₁-C₁₂，直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分 或全部氟化的；且n为0-4；

b)R¹_n(NR²)_3-nSi-SiR³_m(NR⁴)_m-3，其中R¹和R³独立地为H或C₁-C₁₂的烃， 其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全 部氟化的烃；R²和R⁴独立地为C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的， 饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃，n为0-3；且m 为0-3；

c)式(NR¹SiR¹R³)_x的环硅氮烷，其中R¹和R³独立地为H或C₁-C₁₂的烃， 其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全 部氟化的烃；且x为2-8的任意整数，前提是R¹和R³中至少一个取代有C₃或更大的烃；

d)式(CR¹R³SiR¹R³)_x的环碳硅烷其中R¹和R³独立地为H或C₁-C₁₂的 烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分 或全部氟化的烃；且x为2-8的任意整数，前提是R¹和R³中至少一个取代 有C₃或更大的烃；

e)R¹_n(NR⁴)_3-nSi-R⁵-SiR³_m(NR⁴)_m-3，其中R¹和R³独立地为H或C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部 分或全部氟化的烃；R²、R⁴、R⁵独立地为C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链 或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃，可选 择地，R⁵为胺或有机胺基团；n为0-3；且m为0-3；

f)(R¹_n(NR²)_3-nSi)_tCH_4-t，其中R¹独立地为H或C₁-C₁₂的烃，其中所述烃 是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃； R²独立地为C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不 饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃，n为0-3，

g)(R¹_n(NR³)_3-nSi)_tNH_3-t，其中R¹独立地为H或C₁-C₁₂的烃，其中所述烃 是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃； R²和R³独立地为C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或 多不饱和的，环状的，部分或全部氟化的烃，n为0-3；p为0-3；且t为1-3， 前提是n+p≤4且至少一个R¹取代有C₃或更大的烃；

h)式(NR¹Si(R²)_a(R³)_b(NR⁴)_c)x的环硅氮烷，其中R¹、R²和R³独立地为 H或C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的， 环状的，部分或全部氟化的烃；x为2-8的任意整数；且a、b和c为0-2 且a+b+c＝2，前提是R¹和R³中至少一个取代有C₃或更大的烃；和

i)式(CR¹R³Si(R²)_b(NR³)_c)x的环碳硅烷，其中R¹、R²和R³独立地为H或 C₁-C₁₂的烃，其中所述烃是直链或支链的，饱和的，单或多不饱和的，环状 的，部分或全部氟化的烃，且x为2-8的任意整数；b和c为0-2且b+c＝2， 前提是R¹、R²和R³中至少一个取代有C₃或更大的烃。