[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：

(A)在半导体衬底上形成含铜的第1布线；

(B)在所述第1布线上形成蚀刻阻挡膜；

(C)在所述蚀刻阻挡膜上形成绝缘层；

(D)在所述绝缘层上形成达到所述蚀刻阻挡膜的通路孔；

(F)除去所述蚀刻阻挡膜，以使所述通路孔达到所述第1布线而使所述第1布线从所述通路孔露出；以及

(E)在所述(F)工序之前，用有机溶剂清洗所述通路孔和所述绝缘层的表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机溶剂是具有98℃以上沸点的溶剂。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机溶剂是在质量％上具有67ppm以下的对水溶解度的溶剂。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机溶剂是氢氟醚。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括(H)工序：

在所述(D)工序后和所述(F)工序前，在所述通路孔的上部形成布线槽。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(E)工序在所述(H)工序前后的至少任一工序中进行。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述(E)工序包含如下工序：

(E1)在所述(H)工序之前，用所述有机溶剂进行清洗；

(E2)在所述(H)工序之后，用所述有机溶剂进行清洗。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括(J)工序：

在所述(F)工序之后，用有机溶剂清洗露出的所述第1布线、所述通路孔及所述绝缘层的表面。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括(G)工序：

在所述(F)工序之后，形成电连接至露出的所述第1布线的第2布线。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(E)工序中，进行将所述有机溶剂和喷射用气体用喷嘴混合后向所述通路孔和所述绝缘层的表面喷射的双流体喷射清洗。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

用于所述清洗的所述有机溶剂的对水溶解度为2％质量以下，其沸点为80℃以上，蒸汽压为0.01MPa以下，蒸发热为120kJ/kg以下，密度为1g/cm³以上，表面张力在20℃、1013Pa时为72.8mN/m以下，对气溶解度高于对水溶解度，且不具有闪点。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在密闭室内，边清除干燥空气和氮气中任一气体，边在氮气气氛中进行所述清洗。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(E)工序以单片超声波清洗方式进行，其中用施加超声波后的所述有机溶剂清洗所述通路孔和所述绝缘层的表面。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

用于所述清洗的所述有机溶剂的对水溶解度在2％质量以下，沸点为80℃以上，蒸汽压为0.01MPa以下，蒸发热为120kJ/kg以下，密度为1g/cm³以上，表面张力在20℃、1013hPa时为72.8mN/m以下，对气溶解度高于对水溶解度，且不具有闪点。

15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在密闭室内，边清除干燥空气和氮气中任一气体，边在氮气气氛中进行所述清洗。

16.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述(E)工序以浸渍超声波清洗方式进行，其中使所述通路孔和所述绝缘层的表面浸渍在所述有机溶剂中并施加超声波。