[发明专利]用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极

权利要求书

1.一种处理晶片后利用远程等离子体放电装置清洗化学气相沉积处 理腔室的方法，所述方法包括：

从所述腔室中的基座中移除经处理的晶片；

将清洗气体供给到远程等离子体放电装置；

利用等离子体能量激活远程等离子体放电装置中的所述清洗气体；

将激活后的清洗气体传送到所述腔室内并且通过面向所述基座的喷 淋板的多个孔，所述孔延伸完全通过所述喷淋板，所述孔每个具有相同 的横截面面积，其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形区域的直 径是所述晶片的直径的0.95到1.05倍，其中所述清洗气体流过安装在通 向所述喷淋板的入口上方的陶瓷导管，所述陶瓷导管具有大于35mm的 长度；以及

在晶片处理阶段期间，将反应气体供给到所述腔室并且通过所述喷 淋板的孔，其中所述喷淋板用作电极以将所述反应气体在所述腔室内激 发成等离子体，其中所述反应气体流过所述陶瓷导管。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

允许所述清洗气体与所述腔室的表面上的薄膜沉积物反应以及从所 述腔室的所述表面移除所述薄膜沉积物；以及

通过所述腔室的出口端排放所述薄膜沉积物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洗气体以大于 2200nm/min的速度从所述腔室的表面移除薄膜沉积物。

4.一种对腔室中的衬底进行处理的方法，其包括：

将所述衬底放置在所述腔室的基座上；以及

将反应气体供给到所述腔室中并通过面向所述基座的喷淋板的多个 孔，所述孔延伸完全通过所述喷淋板，所述孔每个具有相同的横截面面 积，其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形区域的直径是所述衬 底的直径的0.95到1.05倍，其中所述喷淋板用作电极以将所述反应气体 在所述腔室内激发成等离子体，其中所述反应气体流过安装在通向所述 喷淋板的入口上方的陶瓷导管，所述陶瓷导管具有大于35mm的长度。

5.一种等离子体化学气相沉积装置，包括：

等离子体化学气相沉积反应室；

用于支撑其上的衬底的基座，所述基座布置在所述反应室内并且设 置成用作第一电极以产生等离子体；

用作第二电极以产生所述等离子体的喷淋板，所述喷淋板面向所述 基座并且具有延伸通过所述喷淋板的多个孔，所述孔每个具有相同的横 截面面积，其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形面积的直径是 可装配在所述基座的限制结构内的最大可能衬底的直径的0.95到1.05 倍；

电连接到所述喷淋板的一个或多个电源；以及

安装在通向所述喷淋板的入口上方的陶瓷导管，所述陶瓷导管具有 大于35mm的长度。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述限制结构包括用于支持衬 底的凹处的环形壁。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述喷淋板具有导电延伸部， 该导电延伸部被构造成连接到所述一个或多个电源以便使得所述喷淋板 能够用作电极。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述孔沿着所述喷淋板的侧面 形成螺旋图案。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述板的所述最小圆形面积的 直径在285到310mm之间。

10.根据权利要求5所述的装置，其中所述板的所述最小圆形面积的 直径在190到210mm之间。

11.根据权利要求5所述的装置，其中所述板的所述最小圆形面积的 直径在427.5到472.5mm之间。