[发明专利]具有多指硅控整流器的静电保护电路

说明书

技术领域

本发明公开一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，尤其涉及一种能够将多指硅控整流器中每一硅控整流器都打开的静电保护电路。

背景技术

所谓的静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)，是一种突然且随时会发生的电流，经由摩擦或感应而产生，接着流过线路，有时会对线路中的电子元件造成损害。有些电子元件很容易受到静电放电的破坏，例如金属氧化物半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，MOSFET)。因此集成电路设计中，常加入静电保护电路，来保护整个电路。

发明内容

本发明的一实施例公开一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，包含一第一电源，一第二电源，N个硅控整流器单元，(N-1)个二极管，以及N个电阻。每个硅控整流器单元包含一第一端点，一第二端点，耦接于该第二电源，以及一触发端点。(N-1)个二极管中的一第n个二极管，耦接于一第n个硅控整流器单元的第一端点以及一第(n+1)个硅控整流器单元的触发端点之间。N个电阻中的一第n个电阻，耦接于该第n个硅控整流器单元的第一端点以及该第一电源之间；其中n和N都是整数。

本发明的另一实施例公开一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，包含一第一电源，一第二电源，N个硅控整流器单元，一第一触发脉冲输入端，以及N个电阻。每个硅控整流器单元包含一第一端点，一第二端点，耦接于该第二电源，以及一触发端点。该N个硅控整流器单元中的一第n个硅控整流器单元的第一端点，耦接于一第(n+1)个硅控整流器单元的触发端点。该第一触发脉冲输入端，耦接于该N个硅控整流器单元中的一第一个硅控整流器单元的触发端点。N个电阻中的一第n个电阻，耦接于该第n个硅控整流器单元的第一端点以及该第一电源之间；其中n和N都是整数。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的多指硅控整流器的结构图。

图2为根据本发明的第二实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第二触发脉冲于每个NPN BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图3为根据本发明的第三实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第一触发脉冲于每个PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图4为根据本发明的第四实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，分别外加一第一触发脉冲，以及一第二触发脉冲于每个NPN BJT以及每个PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图5为根据本发明的第五实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一触发脉冲于硅控整流器指SCR1的NPN BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图6为根据本发明的第六实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第一触发脉冲于硅控整流器指SCR1的PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图7为根据本发明的第七实施例，将图1中的多指硅控整流器的静电防护电路，分别外加一第二触发脉冲，以及一第一触发脉冲于硅控整流器指SCR1的NPN BJT以及PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图8为本发明的第八实施例的多指硅控整流器的结构图。

图9为根据本发明的第九实施例，将图8中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第二触发脉冲于每个NPN BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图10为根据本发明的第十实施例，将图8中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第一触发脉冲于每个PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图11为根据本发明的第十一实施例，将图8中的多指硅控整流器的静电防护电路，分别外加一第二触发脉冲，以及一第一触发脉冲于每个NPNBJT以每个PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图12为根据本发明的第十二实施例，将图8中的多指硅控整流器的静电防护电路，外加一第二触发脉冲于硅控整流器指SCR1的NPN BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

图13为根据本发明的第十三实施例，将图8中的多指硅控整流器的静电防护电路，分别外加一第二触发脉冲，以及一第一触发脉冲于硅控整流器指SCR1的NPN BJT以及PNP BJT的基极的多指硅控整流器的结构图。

【主要元件符号说明】

100，140，150，160，170，180，190，500，540，