[发明专利]具有电容器元件的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电容器元件，所述电容器元件包括：提供在半导体衬底上方的平板型下电极，提供在所述下电极上方并且与之平行的平板型上电极，和提供在所述下电极和所述上电极之间的电容器膜；以及

第一接触栓塞，所述第一接触栓塞与所述下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，

其中所述电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜，

所述半导体器件进一步包括提供在所述半导体衬底的表面部分中的第一杂质扩散层，

其中所述第一接触栓塞与所述第一杂质扩散层接触，并且由含铜金属构成，

所述半导体器件进一步包括：

栅电极，所述栅电极提供在所述半导体衬底上方，并且在所述第一杂质扩散层的旁边；

第二杂质扩散层，所述第二杂质扩散层提供在所述栅电极的旁边的所述半导体衬底中，同时与所述第一杂质扩散层相对；

位线，所述位线提供在所述半导体衬底上方；以及

第二接触栓塞，所述第二接触栓塞连接所述位线和所述第二杂质扩散层，并且由含铜金属构成，

其中比所述位线更靠近所述衬底地提供所述电容器元件，

其中在所述半导体衬底上方提供具有所述电容器元件和所述位线的第一区域和具有提供在所述半导体衬底上方的第一互连的第二区域，以及

所述位线和所述第一互连提供在相同的高度水平上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述有机分子是环状有机化合物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述有机分子是具有卟啉骨架或二茂铁骨架的化合物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二接触栓塞的侧面的外周被氮化硅膜覆盖。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

进一步包括选择性地覆盖所述电容器元件的侧面的侧壁绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二杂质扩散层，所述第二杂质扩散层被提供到所述半导体衬底；

位线，所述位线提供在所述半导体衬底上方；

第二接触栓塞，所述第二接触栓塞连接所述位线和所述第二杂质扩散层，并且由含铜金属构成；以及

侧壁绝缘膜，所述侧壁绝缘膜选择性地覆盖所述电容器元件的侧面，

其中所述第二接触栓塞被提供为与所述侧壁绝缘膜接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

选择性地覆盖所述电容器元件的侧面的侧壁绝缘膜，

其中所述第二接触栓塞被提供为与所述侧壁绝缘膜接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

进一步包括绝缘膜，所述绝缘膜选择性地提供在所述电容器元件的侧面和上方，以便从所述电容器元件的侧面和顶表面覆盖所述电容器元件。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

包含多个所述电容器元件，提供所述多个电容器元件的所述上电极，其被连续一体地形成带。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一区域构成存储部件，并且所述第二区域构成逻辑部件。