[发明专利]GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法

权利要求书

1.GaAs半导体衬底，其包括相对于(100)面具有6°～16°倾斜角的主表面，其中在所述主表面上的氯原子的浓度不超过1×10¹³cm^-2。

2.如权利要求1所述的GaAs半导体衬底，其中在所述主表面上的氯原子的所述浓度不超过3×10¹²cm^-2。

3.GaAs半导体衬底制造方法，所述衬底包括相对于(100)面具有6°～16°倾斜角的主表面，在所述主表面上的氯原子浓度不超过1×10¹³cm^-2，所述制造方法包括：

抛光GaAs半导体晶片的抛光步骤；

清洁所述经抛光的GaAs半导体晶片的第一次清洁步骤；

对经历过所述第一次清洁的所述GaAs半导体晶片的厚度和主表面平整度进行检查的检查步骤；以及

用不同于盐酸的酸和碱中的一种对所述经检查的GaAs半导体晶片进行清洁的第二次清洁步骤。

4.如权利要求3所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中所述第一次清洁步骤包括：用盐酸清洁所述经抛光的GaAs半导体晶片的盐酸清洁分步骤。

5.如权利要求4所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中

所述第一次清洁步骤、所述检查步骤和所述第二次清洁步骤在清洁室中进行，并且

通过纯水雾将空气从外部引入到所述清洁室内，所述被引入的空气通过含活性炭的过滤器循环。

6.如权利要求5所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中在所述第二次清洁后，在所述清洁室中所含的氯原子的浓度不超过1500ng·m^-3。

7.如权利要求5所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中在所述第二次清洁后，在所述清洁室中所含的氯原子的浓度不超过400ng·m^-3。

8.如权利要求3所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中

所述第一次清洁步骤、所述检查步骤和所述第二次清洁步骤在清洁室中进行，并且

通过纯水雾将空气从外部引入到所述清洁室内，所述被引入的空气通过含活性炭的过滤器循环。

9.如权利要求8所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中在所述第二次清洁后，在所述清洁室中所含的氯原子的浓度不超过1500ng·m^-3。

10.如权利要求8所述的GaAs半导体衬底制造方法，其中在所述第二次清洁后，在所述清洁室中所含的氯原子的浓度为不超过400ng·m^-3。

11.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件，其包括：

GaAs半导体衬底，所述衬底包括相对于(100)面具有6°～16°倾斜角的主表面，在所述主表面上的氯原子的浓度不超过1×10¹³cm^-2；和

至少一层Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层，所述半导体层包含在所述GaAs半导体衬底的所述主表面上形成的至少三种元素。

12.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件制造方法，所述半导体器件包括GaAs半导体衬底和至少一层Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层，所述GaAs半导体衬底包括相对于(100)面具有6°～16°倾斜角的主表面，在所述主表面上的氯原子的浓度不超过1×10¹³cm^-2，所述Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层包含在所述GaAs半导体衬底的所述主表面上形成的至少三种元素，所述制造方法包括如下步骤：

制备所述GaAs半导体衬底；以及

在所述GaAs半导体衬底的所述主表面上生长所述至少一层Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层。