[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

基板；

由具有六方晶体结构的氮化物半导体构成的分层结构，该氮化物半导体在基本垂直于c轴的方向上堆叠在该基板上；

形成在其上出现构成该分层结构的氮化物半导体的N极表面的第一端面上的第一保护膜；

形成在与第一端面相对的第二端面上的第二保护膜，该第二保护膜具有比第一保护膜高的反射率。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，

该第一保护膜包括氮化物材料。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中，

该氮化物材料与第一端面相接触。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中，

该第一保护膜包括由氮化物材料构成的端面保护膜以及由氧化物材料构成的发光侧保护膜。

5.如权利要求4所述的发光元件，其中，

该氧化物材料包含铝、钛、钽、铌、铪和钇的氧化物的至少之一。

6.如权利要求2所述的发光元件，其中，

该氮化物材料为单晶或多晶。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中，

该氮化物材料为在预定方向取向的晶体。

8.如权利要求2所述的发光元件，其中，

该氮化物材料包含铝、镓和硅的氮化物的至少之一。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中，

该分层结构在a轴或m轴方向上堆叠。

10.一种发光元件的制造方法，包括：

第一步，在基板上在基本垂直于c轴的方向上堆叠具有六方晶体结构的氮化物半导体，并因此制造由氮化物半导体构成的分层结构；

第二步，在第一步之后，形成在其上出现氮化物半导体的N极表面的第一端面，以及与第一端面相对的第二端面；

第三步，在第二步之后，在第一端面上形成第一保护膜以及在第二端面上形成第二保护膜，第二保护膜具有比第一保护膜高的反射率。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中，

在第三步中，至少部分第一保护膜由电子回旋共振溅射方法或分子束外延方法形成。

12.如权利要求10所述的制造方法，其中，

第二步通过切割或干蚀刻实施。