[发明专利]具有可规划式磁性电容的储能元件无效

专利信息
申请号: 200810178996.X 申请日: 2008-12-03
公开(公告)号: CN101752911A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 周锦城;薛向均 申请(专利权)人: 光宝科技股份有限公司
主分类号: H02J15/00 分类号: H02J15/00;H01G4/008
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 规划 磁性 电容 元件
【权利要求书】:

1.一种具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于该储能元件包含:

多数个磁性电容,用于储存及释放电能,且每一个磁性电容具有一第一端及一第二端;

多数条相互间隔的第一连接线,所述磁性电容的第一端及第二端分别连接一条第一连接线;

多数条相互间隔的第二连接线;以及

多数个连接件,每一条第二连接线经多数个连接件分别连接与该磁性电容第一端与第二端其中之一连接的该第一连接线,每一所述连接件被规划在一使两者电连接的短路状态与一使两者不再电连接的断路状态中的其中之一。

2.如权利要求1所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述磁性电容是沿一第一方向排列,所述第一连接线相互平行且沿一与该第一方向垂直的一第二方向延伸,所述第二连接线相互平行地沿该第一方向延伸。

3.如权利要求2所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第二连接线中距离所述磁性电容最近的一条第二连接线经所述连接件分别与所述磁性电容第一端连接的第一连接线连接,而所述第二连接线中距离所述磁性电容次近的一条第二连接线经所述连接件分别与所述磁性电容第二端连接的第一连接线连接。

4.如权利要求3所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第二连接线中其余条第二连接线经所述连接件分别与每一条所述第一连接线连接。

5.如权利要求2所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第一连接线位于一第一平面上,而所述第二连接线位于一与该第一平面平行的第二平面上,且位于该第二平面的每一条第二连接线投影在第一平面的一投影线与每一条第一连接线相交。

6.如权利要求5所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:每一所述连接件只由该短路状态变成该断路状态。

7.如权利要求6所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该连接件为一保险丝。

8.如权利要求1所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该连接件为一保险丝。

9.如权利要求7所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第二连接线的数量至少为所述磁性电容的数量加一。

10.如权利要求9所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第一连接线与所述第二连接线为半导体工艺中的不同层金属线。

11.如权利要求8所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述第二连接线的数量至少为所述磁性电容的数量加一,所述第一连接线与所述第二连接线为半导体工艺中的不同层金属线。

12.如权利要求1所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:所述磁性电容还具有一第一磁性电极、一第二磁性电极以及位于其间的一介电层,其中该第一磁性电极与第二磁性电极是由具磁性的导电材料构成。

13.如权利要求12所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该第一磁性电极包含有一第一磁性层、一第二磁性层与一夹置于该第一磁性层与该第二磁性层之间的隔离层,该隔离层由非磁性的导电材料所构成。

14.如权利要求13所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该第一磁性层包含有多数个成第一方向排列的磁偶极,而该第二磁性层包含有多数个成第二方向排列的磁偶极,该第一方向与该第二方向相反。

15.如权利要求14所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该第一磁性电极与第二磁性电极的材料为铁、钴、镍与稀土元素所构成群组中的至少其中之一,该介电层的材料为氧化钛或氧化钡钛或一半导体材料。

16.如权利要求15所述的具有可规划式磁性电容的储能元件,其特征在于:该半导体材料为氧化硅。

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