[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具有一个腔室，其中，该腔室被载置台和挡板分隔为对被处理体实施等离子体处理的处理室和排放出气体的排气室，其特征在于：

在对所述腔室进行清洗之后，向所述排气室供给自由基，以促进在所述腔室的内壁表面上形成预涂膜。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述自由基由远距离等离子体发生器产生。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述自由基通过向所述远距离等离子体发生器供给与对被处理体实施等离子体处理时供给的气体相同的气体而产生。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置是由通过缝隙并透过电介质体的微波使向所述腔室内供给的处理气体等离子体化，对被处理体实施等离子体处理的微波等离子体处理装置。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质体由多个电介质体零件构成，

在各电介质体零件上设置有一条或者两条以上的缝隙，

由通过所述一条或者两条以上缝隙分别透过各电介质体的微波使向腔室内供给的处理气体等离子体化，对被处理体实施等离子体处理。

6.一种等离子体处理装置的控制方法，该方法是具有一个腔室并且由载置台和挡板将该腔室分隔为对被处理体实施等离子体处理的处理室和排放出气体的排气室的等离子体处理装置的控制方法，其特征在于：

在对所述腔室进行清洗之后，供给自由基，以促进在所述腔室的内壁表面上形成预涂膜。