[发明专利]开窗型半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种开窗型半导体封装件的制法，其特征在于，该制法的步骤 包括：

提供具有第一表面及相对的第二表面的介电载板，且在该介电载 板形成贯穿该第一表面及该第二表面的第一开口，并在该第一开口两 侧形成多个第一导电通孔及多个第二导电通孔，以在该第一导电通孔 及该第二导电通孔中形成导电材料，其中，在该第一表面形成多个埋 设于该介电载板中的导电迹线层，并使该导电迹线层电性连接该第一 导电通孔及该第二导电通孔的导电材料；

将具有作用表面的芯片通过胶粘层接置于该第一表面的导电迹线 层上，使该作用表面上的芯片垫外露于该第一开口中，并利用多条焊 线由该芯片垫通过该第一开口电性连接该第二表面的第一导电通孔的 导电材料；

将多个焊球植接于该第二表面的第二导电通孔的导电材料上；以 及

在该第一表面上形成封装胶体以包覆该芯片，并将该封装胶体填 充于该第一开口中以包覆该焊线。

2.根据权利要求1所述的开窗型半导体封装件的制法，其特征在 于，该介电载板的制法的步骤包括：

提供金属底板；

在该金属底板上形成阻层，并形成外露部分金属底板的第三开口；

在该第三开口中电镀导电迹线层，并移除该金属底板上的阻层；

在该金属底板及该导电迹线层上形成介电层，并在该介电层形成 外露出部分金属底板的第一开口、外露出部分导电迹线层的第一导电 通孔以及第二导电通孔；

在该第一开口、该第一导电通孔与该第二导电通孔中电镀形成第 一导电层，并在该第一开口的第一导电层上形成绝缘层；

在该第一导电通孔与该第二导电通孔的第一导电层上形成第二导 电层，藉以在该第一导电通孔与该第二导电通孔中形成导电材料；以 及

移除该绝缘层、该第一开口中的第一导电层及该金属底板。

3.根据权利要求1所述的开窗型半导体封装件的制法，其特征在 于，该介电载板的制法的步骤包括：

提供金属底板；

在该金属底板上形成阻层，并形成外露部分金属底板的第三开口；

在该第三开口中电镀导电迹线层，并移除该金属底板上的阻层；

在该金属底板及该导电迹线层上形成介电层，并在该介电层形成 外露出部分导电迹线层的第一导电通孔以及第二导电通孔；

在该第一导电通孔与该第二导电通孔中电镀形成第一导电层；

在该第一导电通孔与该第二导电通孔的第一导电层上形成第二导 电层，藉以在该第一导电通孔与该第二导电通孔中形成导电材料；

移除该金属底板；以及

在该介电载板的中央处形成贯穿该第一表面及该第二表面的第一 开口。

4.根据权利要求2或3所述的开窗型半导体封装件的制法，其特 征在于：该导电迹线层包括第一金属层及第二金属层，该第一金属层 的材料为铜，该第二金属层的材料为铜、铜/镍或金/镍/铜。

5.根据权利要求2或3所述的开窗型半导体封装件的制法，其特 征在于：该导电材料的材料为金/镍/铜。

6.根据权利要求3所述的开窗型半导体封装件的制法，其特征在 于：该第一开口是利用冲压机冲切或激光切割形成。

7.根据权利要求2或3所述的开窗型半导体封装件的制法，其特 征在于：该第一导电层的材料为铜，该第二导电层的材料为金/镍。