[发明专利]热等静压法生产ITO靶材的方法有效
申请号: | 200810179368.3 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101407904A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 陈立三;彭晓苏;陈卫飞;李鹏飞;陈军辉;佘旭 | 申请(专利权)人: | 株洲冶炼集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;张 英 |
地址: | 412004*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静压 生产 ito 方法 | ||
1.一种通过热等静压法制备ITO靶材的方法,包括将ITO粉料通过冷等静压压制成型后进行热等静压处理,其特征在于,所使用的ITO粉料经过不低于1000℃温度的煅烧,并且在热等静压处理时在包套与靶材之间设置一层石墨纸。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述石墨纸的厚度为0.1~2.0mm。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述石墨纸的厚度为0.3~1mm。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,采用化学共沉淀方法生产ITO粉料。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,用盐酸或硝酸溶解金属铟,用氯化锡作为锡盐,沉淀剂为氨水或碳铵。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,经所述煅烧后,所得ITO粉料中的氯含量小于100ppm。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述煅烧是在不低于1200℃的温度下进行。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述石墨纸的纯度在99.5%以上。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在900~1250℃、100~200MPa下进行热等静压处理。
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