[发明专利]电源系统无效
申请号: | 200810179434.7 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101594055A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 内尾诚一郎 | 申请(专利权)人: | 加贺电子株式会社 |
主分类号: | H02M3/28 | 分类号: | H02M3/28;H02M3/335;H02M1/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 系统 | ||
1.一种电源系统,其包含:变压器,其将具有第1电压的第1交流电源转换为具有比第1电压低的第2电压的第2交流电源;以及多个电源单元,其与变压器连接,输入变压器的第2交流电源,
各电源单元具有:
整流电路,其对从变压器提供的第2交流电源的第2交流电压进行整流,并输出整流后的电压;
功率因数改善电路,其与整流电路连接,用于对整流后的功率的功率因数进行改善;以及
输出电路,其与功率因数改善电路连接,用于输出直流电压,
所述功率因数改善电路具有:电感器,其与整流电路的第1电压线串联连接;第1晶体管,其与电感器串联连接;第2晶体管,其连接在将电感器和第1晶体管连接的节点与整流电路的第2电压线之间;以及控制电路,其控制第1和第2晶体管的开关,
该控制电路在使第2晶体管导通时,使第1晶体管截止,而在使第2晶体管截止时,使第1晶体管导通,
所述整流电路由响应于电流来动作的多个MOS晶体管电桥构成。
2.根据权利要求1所述的电源系统,
第1和第2晶体管是MOSFET,第1晶体管的漏极与电感器连接,第1晶体管的源极与输出电路连接,第2晶体管的漏极与第1晶体管的漏极连接,第2晶体管的源极与第2电压线连接,第1和第2晶体管的各个栅极与控制电路连接,从所述输出电路输出由第2电压升压后的直流电压。
3.根据权利要求1所述的电源系统,
所述整流电路具有:
第1、第2MOS晶体管,其串联连接在第1电位的直流输出与第2电位的直流输出之间;
第3、第4MOS晶体管,其串联连接在所述第1电位的直流输出与所述第2电位的直流输出之间;以及
驱动单元,其响应于流过所述直流输出的电流,来向第1、第2、第3以及第4MOS晶体管的各个栅极输出栅极信号,
交流电压的一个输入与将第1、第2MOS晶体管连接起来的第1连接节点连接,交流电压的另一个输入与将第3、第4MOS晶体管连接起来的第2连接节点连接,
响应于所输入的交流电压,在第1半波期间时电流流过第1、第4MOS晶体管,而在第2半波期间时电流流过第2、第3MOS晶体管。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电源系统,
第1晶体管、第2晶体管、控制电路、以及整流电路被容纳在一个封装内。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电源系统,
所述封装包含6个外部引线端子,第1、第2外部端子用于输入交流电源,第3、第4外部端子与电感器连接,第5外部端子与接地电位连接,第6外部端子与输出连接。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电源系统,
所述输出电路具有DC-DC转换器,该DC-DC转换器生成利用开关电路降压后的直流电压。
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