[发明专利]电源系统无效

专利信息
申请号: 200810179434.7 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101594055A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 内尾诚一郎 申请(专利权)人: 加贺电子株式会社
主分类号: H02M3/28 分类号: H02M3/28;H02M3/335;H02M1/42
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电源 系统
【权利要求书】:

1.一种电源系统,其包含:变压器,其将具有第1电压的第1交流电源转换为具有比第1电压低的第2电压的第2交流电源;以及多个电源单元,其与变压器连接,输入变压器的第2交流电源,

各电源单元具有:

整流电路,其对从变压器提供的第2交流电源的第2交流电压进行整流,并输出整流后的电压;

功率因数改善电路,其与整流电路连接,用于对整流后的功率的功率因数进行改善;以及

输出电路,其与功率因数改善电路连接,用于输出直流电压,

所述功率因数改善电路具有:电感器,其与整流电路的第1电压线串联连接;第1晶体管,其与电感器串联连接;第2晶体管,其连接在将电感器和第1晶体管连接的节点与整流电路的第2电压线之间;以及控制电路,其控制第1和第2晶体管的开关,

该控制电路在使第2晶体管导通时,使第1晶体管截止,而在使第2晶体管截止时,使第1晶体管导通,

所述整流电路由响应于电流来动作的多个MOS晶体管电桥构成。

2.根据权利要求1所述的电源系统,

第1和第2晶体管是MOSFET,第1晶体管的漏极与电感器连接,第1晶体管的源极与输出电路连接,第2晶体管的漏极与第1晶体管的漏极连接,第2晶体管的源极与第2电压线连接,第1和第2晶体管的各个栅极与控制电路连接,从所述输出电路输出由第2电压升压后的直流电压。

3.根据权利要求1所述的电源系统,

所述整流电路具有:

第1、第2MOS晶体管,其串联连接在第1电位的直流输出与第2电位的直流输出之间;

第3、第4MOS晶体管,其串联连接在所述第1电位的直流输出与所述第2电位的直流输出之间;以及

驱动单元,其响应于流过所述直流输出的电流,来向第1、第2、第3以及第4MOS晶体管的各个栅极输出栅极信号,

交流电压的一个输入与将第1、第2MOS晶体管连接起来的第1连接节点连接,交流电压的另一个输入与将第3、第4MOS晶体管连接起来的第2连接节点连接,

响应于所输入的交流电压,在第1半波期间时电流流过第1、第4MOS晶体管,而在第2半波期间时电流流过第2、第3MOS晶体管。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的电源系统,

第1晶体管、第2晶体管、控制电路、以及整流电路被容纳在一个封装内。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的电源系统,

所述封装包含6个外部引线端子,第1、第2外部端子用于输入交流电源,第3、第4外部端子与电感器连接,第5外部端子与接地电位连接,第6外部端子与输出连接。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的电源系统,

所述输出电路具有DC-DC转换器,该DC-DC转换器生成利用开关电路降压后的直流电压。

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