[发明专利]光学半导体元件封装用树脂以及用该树脂获得的光学半导体器件无效

专利信息
申请号: 200810179710.X 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101445605A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 片山博之;久保麻美 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C08G77/04 分类号: C08G77/04;C08G79/08;C08G79/10;C08G77/398;C09K3/10;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郇春艳;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 半导体 元件 封装 树脂 以及 获得 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种光学半导体元件封装用树脂,其通过使硅化合物与硼化合 物或铝化合物反应而获得,其中所述硅化合物由下式(I)表示:

其中R1和R2各自独立地代表烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基, 其中R1的多个相同或不同,以及R2的多个相同或不同;X表示羟基、 烷氧基、烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基,以及n为13~250;

其中所述硼化合物由下式(II)表示:

其中Y1、Y2和Y3各自独立地代表氢或烷基;

所述铝化合物由下式(III)表示:

其中Y4、Y5和Y6各自独立地代表氢或烷基;

其中所述硅化合物中的硅原子对所述硼化合物中的硼原子或所述 铝化合物中的铝原子的比例为6/1~1,000/1。

2.根据权利要求1所述的光学半导体元件封装用树脂,其中R1和R2各自为甲基以及X为羟基。

3.根据权利要求1所述的光学半导体元件封装用树脂,其中所述 硼化合物为硼酸三异丙酯。

4.根据权利要求1所述的光学半导体元件封装用树脂,其中所述 铝化合物为三异丙醇铝。

5.根据权利要求1所述的光学半导体元件封装用树脂,其具有1.0 ×104~1.0×109Pa的储能模量。

6.一种光学半导体器件,其包含使用根据权利要求1所述的树脂 封装的光学半导体元件。

7.根据权利要求6所述的光学半导体器件,其亮度保持率为70% 以上,其中所述亮度保持率可由下面的等式定义:

亮度保持率=[(在300mA下连续照明300小时后的亮度)]/(测 试刚开始后的亮度)]×100。

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