[发明专利]薄膜晶体管、显示装置以及这些的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：

在栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成锗膜；

通过引入氟、氟化物气体以及氢中的至少一种且施加高频电力，蚀刻所述锗膜的一部分；

通过引入包含锗的沉积性气体以及氢且施加高频电力，在所述栅极绝缘膜上形成微晶锗膜；以及

通过引入包含硅的沉积性气体以及氢且施加高频电力，在所述微晶锗膜上形成缓冲层，

其中，通过利用所述栅电极、所述栅极绝缘膜、所述微晶锗膜以及所述缓冲层，制造薄膜晶体管，并且

其中，所述缓冲层包含非晶硅。

2.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，还包括如下步骤：通过在形成所述锗膜之前引入氟、氟化物气体以及氢中的至少一种且施加高频电力，使所述栅极绝缘膜暴露于等离子体。

3.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，通过引入至少包含锗的沉积性气体且施加高频电力，形成所述锗膜。

4.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，所述锗膜为非晶锗膜或者微晶锗膜。

5.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，所述锗膜包含通过利用氢或稀有气体对锗靶子进行溅射而形成的非晶锗。

6.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，通过将包含用作供体的杂质元素的气体流过于反应室内，形成所述栅极绝缘膜。

7.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，通过引入包含用作供体的杂质元素的气体且施加高频电力，对所述锗膜添加用作所述供体的所述杂质元素。

8.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，与所述氟、所述氟化物气体以及所述氢中的至少一种一起，引入包含用作供体的杂质元素的气体且施加高频电力，蚀刻所述锗膜的所述一部分，同时将用作所述供体的所述杂质元素添加到所述锗膜。

9.根据权利要求1所述的用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，其中，与所述包含锗的沉积性气体以及所述氢一起，引入包含用作供体的杂质元素的气体，并施加高频电力，形成所述微晶锗膜，同时将用作所述供体的所述杂质元素添加到所述微晶锗膜。

10.一种用于制造显示装置的像素部中的薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：

在栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成锗膜；

通过引入氟、氟化物气体以及氢中的至少一种且施加高频电力，蚀刻所述锗膜的一部分；

通过引入包含锗的沉积性气体以及氢且施加高频电力，在所述栅极绝缘膜上形成微晶锗膜；

通过引入包含硅的沉积性气体以及氢且施加高频电力，在所述微晶锗膜上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成包含赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；

在所述一对半导体膜上形成一对布线；以及

与所述一对布线中的一方接触地形成像素电极，

其中，所述缓冲层包含非晶硅。