[发明专利]输出驱动器中的转换速率控制无效
申请号: | 200810179750.4 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN101453193A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 黄夏秀;方维贤;江天佑;孙静 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社;松下半导体亚洲私人有限公司 |
主分类号: | H03F1/00 | 分类号: | H03F1/00;H03F1/26;H03F3/217 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王 玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 驱动器 中的 转换 速率 控制 | ||
1.一种音频功率放大器中的用于下功率晶体管的转换速率受控输出驱动器,包括:
P型MOSFET,通过对功率晶体管的栅极电容进行充电来使所述功率晶体管导通;
第一N型MOSFET,尺寸较小,并且为所述功率晶体管的所述栅极电容提供无中断的放电路径;
第二N型MOSFET,尺寸足够大,以通过对所述栅极电容进行放电来使所述功率晶体管截止;
第一开关,其关闭降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度;
第二开关,其关闭进一步降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度;
输出电平检测器,控制所述第一开关;
PGND电平检测器,控制所述第二开关。
2.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,所述P型MOSFET是P型MOSFET或提供与所述P型MOSFET相同的功能的电路。
3.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,所述第一N型MOSFET是N型MOSFET或提供与所述N型MOSFET相同的功能的电路。
4.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,所述第二N型MOSFET是N型MOSFET或提供与所述N型MOSFET相同的功能的电路。
5.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,在激活所述输出电平检测器时,关闭所述第一开关。
6.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,在激活所述PGND电平检测器时,关闭所述第二开关。
7.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,当输出电平上升到预定值以上时,激活所述输出电平检测器。
8.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,当PGND电平下降到另一预定值以下时,激活所述PGND电平检测器。
9.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,所述PGND是对于所述下功率晶体管的电源地的缩写。
10.一种音频功率放大器中的用于上功率晶体管的转换速率受控输出驱动器,包括;
P型MOSFET,通过对功率晶体管的栅极电容进行充电来使所述功率晶体管导通;
第一N型MOSFET,尺寸较小,并且为所述功率晶体管的所述栅极电容提供无中断的放电路径;
第二N型MOSFET,尺寸足够大,以通过对所述栅极电容进行放电而使所述功率晶体管截止;
第一开关,其关闭降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度;
第二开关,其关闭进一步降低了来自所述第二N型MOSFET的路径的所述栅极电容的放电速度;
输出电平检测器,控制所述第一开关;
PVCC电平检测器,控制所述第二开关。
11.如权利要求10所述的输出驱动器,其中,在激活所述输出电平检测器时,关闭所述第一开关。
12.如权利要求10所述的输出驱动器,其中,在激活所述PVCC电平检测器时,关闭所述第二开关。
13.如权利要求10所述的输出驱动器,其中,当输出电平下降到预定值以下时,激活所述输出电平检测器。
14.如权利要求10所述的输出驱动器,其中,当PVCC电平上升到另一预定值以上时,激活所述PVCC电平检测器。
15.如权利要求10所述的输出驱动器,其中,所述PVCC是对于所述上功率晶体管的电源的缩写。
16.一种用于下功率晶体管输出驱动器的转换速率控制方法,包括:
检测所述输出信号电平;
关闭第一开关,以减慢所述功率晶体管的栅极电容的放电速度;
检测所述PGND电平;
关闭第二开关,以进一步减慢所述功率晶体管的所述栅极电容的放电速度。
17.一种用于上功率晶体管输出驱动器的转换速率控制方法,包括:
检测所述输出信号电平;
关闭第一开关,以减慢所述功率晶体管的栅极电容的放电速度;
检测所述PVCC电平;
关闭第二开关,以进一步减慢所述功率晶体管的所述栅极电容的放电速度。
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