[发明专利]抗反射涂层无效
申请号: | 200810179929.X | 申请日: | 2008-10-13 |
公开(公告)号: | CN101441415A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | R·N·弗尔蒂斯;M·L·奥尼尔;A·D·约翰逊 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘 玥;韦欣华 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 涂层 | ||
1、一种在基质中形成特征的方法,其包括以下步骤:
在基质上形成介电层;
在介电层上形成抗反射涂层;
在抗反射涂层上形成光刻胶图案;
通过图案化的光刻胶蚀刻介电层;和
除去抗反射涂层和光刻胶,
其中抗反射涂层为由式SivOwCxNuHyFz表示的薄膜,其中v+w+x+u+y+z=100 %,v为1-35原子%,w为1-40原子%,x为5-80原子%,u为0-50原子%, y为10-50原子%以及z为0-15原子%,
其中抗反射涂层是通过组合物化学气相沉积形成的,其中组合物包含(1) 从有机硅烷、有机硅氧烷和氨基硅烷组成的组中选择的至少一种前体;和(2) 烃,并且
其中所述烃基本上不从抗反射涂层中除去。
2、根据权利要求1的方法,其中介电层是多孔的。
3、根据权利要求1的方法,其中抗反射涂层是硬掩膜。
4、根据权利要求1的方法,其中抗反射涂层是通过包含氨基硅烷和烃的组 合物化学气相沉积形成的。
5、根据权利要求4的方法,其中氨基硅烷是双(叔丁基氨基)硅烷。
6、根据权利要求1的方法,其中所述烃区别于至少一种前体。
7、根据权利要求6的方法,其中所述至少一种前体是由下述组成的组中选 择的至少一种:
(a)式R1n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si,其中R1独立地为H或C1-C4直链或支链的, 饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化 的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-4;且p为0-4;
(b)式R1n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独立地为H或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分 或全部氟化的烃;R2和R6独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱 和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;R4和R5独立地为H或C1-C6直 链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的 烃;n为0-3;m为0-3;q为0-3;且p为0-3,前提是n+p≤3且m+q≤3;
(c)式R1n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独 立地为H或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或 全部氟化的烃;R2和R6独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和 的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;R4和R5独立地为H,C1-C6直链 或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃; n为0-3;m为0-3;q为0-3;且p为0-3,前提是n+p≤3且m+q≤3;
(d)式R1n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独立地为H或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分 或全部氟化的烃;R2、R6和R7独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多 不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃,可选择地,R7为胺或有机 胺基团;R4和R5独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的, 环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;m为0-3;q为0-3;且p为 0-3,前提是n+p≤3且m+q≤3;
(e)式(R1n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t,其中R1独立地为H或C1-C4直链或 支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地 为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全 部氟化的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的, 环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;p为0-3;且t为2-4,前提 是n+p≤4;
(f)式(R1n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t,其中R1独立地为H或C1-C4直链或 支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地 为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全 部氟化的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的, 环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;p为0-3;且t为1-3,前提 是n+p≤4;
(g)式(OSiR1R3)x的环硅氧烷,其中R1和R3独立地为H,C1-C4,直链或支 链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;且x为2-8 的任意整数;
(h)式(NR1SiR1R3)x的环硅氮烷,其中R1和R3独立地为H,C1-C4,直链或 支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;且x为2-8 的任意整数;
(i)式(CR1R3SiR1R3)x的环碳硅烷,其中R1和R3独立地为H,C1-C4,直链 或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;且x为 2-8的任意整数;
(k)式R1n(OR2)p(NR3)4-(n+p)Si,其中R1独立地为H或C1-C4直链或支链的, 饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化 的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;且p为0-3;
(l)式R1n(OR2)p(NR4)3-n-pSi-O-SiR3m(NR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独立地为 H或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化 的烃;R2和R6独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状 的,芳族的,部分或全部氟化的烃;R4和R5独立地为H,C1-C6直链或支链的, 饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3; m为0-3;q为0-3;且p为0-3,前提是n+p≤3且m+q≤3;
(m)式R1n(OR2)p(NR4)3-n-pSi-SiR3m(NR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独立地为H 或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的 烃;R2和R6独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;R4和R5独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱 和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;m 为0-3;q为0-3;且p为0-3,前提是n+p≤3且m+q≤3;
(n)式R1n(OR2)p(NR4)3-n-pSi-R7-SiR3m(NR5)q(OR6)3-m-q,其中R1和R3独立地为 H或C1-C4直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化 的烃;R2、R6和R7独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的, 环状的,芳族的,部分或全部氟化的烃,可选择地,R7为胺或有机胺基团;R4和R5独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;m为0-3;q为0-3;且p为0-3,前提 是n+p≤3且m+q≤3;
(o)式(R1n(OR2)p(NR3)4-(n+p)Si)tCH4-t,其中R1独立地为H或C1-C4直链或支链 的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化 的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;p为0-3;且t为1-4,前提是n+p≤4; 和
(p)式(R1n(OR2)p(NR3)4-(n+p)Si)tNH3-t,其中R1独立地为H或C1-C4直链或支链 的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,部分或全部氟化的烃;R2独立地为C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的,芳族的,部分或全部氟化 的烃;R3独立地为H,C1-C6直链或支链的,饱和的,单或多不饱和的,环状的, 芳族的,部分或全部氟化的烃;n为0-3;p为0-3;且t为1-3,前提是n+p≤4。
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