[发明专利]半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件无效
| 申请号： | 200810179947.8 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101409231A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 大前晓;有持佑之;御友重吾;风田川统之;日野智公 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 生长 方法 发光 元件 制造 电子器件 | ||
1.一种生长半导体层的方法，其包括：在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。
2.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述半导体层以(11-20)面、(0001)面和(11-22)面面向外生长。
3.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述半导体层以(1-100)面、(0001)面和(10-13)面面向外生长。
4.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述半导体层由纤锌矿晶体结构半导体形成。
5.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述半导体层由III-V氮化物化合物半导体、氧化物半导体或硫族元素氧化物形成。
6.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述基板具有(1-100)面作为一个主面。
7.如权利要求1所述的生长半导体层的方法，其中所述基板在其一个主面上具有至少一个凹陷部，该凹陷部的一个侧面是(1-100)面。
8.一种制造半导体发光元件的方法，其包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或者(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。
9.一种半导体发光元件，其包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长的具有(11-22)或(10-13)面方位的半导体层。
10.一种半导体发光元件，其包括由六方晶体结构的半导体形成且具有(11-22)或(10-13)面方位的半导体层。
11.一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件，其中，至少一个所述半导体发光元件由六方晶体结构基板和在其所述(1-100)面上生长的具有所述(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层构成。
12.一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件，其中至少一个所述半导体发光元件具有六方晶体结构半导体层，该半导体层具有(11-22)或(10-13)面方位。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
