[发明专利]一种具多层保护层的有机半导体元件及其制作方法

权利要求书

1、一种具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，包括有：

一有机薄膜晶体管；

一第一保护层，以气相沉积方式形成于该有机薄膜晶体管上；及

一第二保护层，形成于该第一保护层上；

其中，该第一保护层为无机材料层或有机材料层。

2、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该有机薄膜晶体管选自下接触式、上接触式、下栅极与上栅极的有机薄膜晶体管的群组组合。

3、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该有机薄膜晶体管选自N型金氧半场效晶体管、P型金氧半场效晶体管与互补式金氧半场效晶体管的群组组合。

4、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层以溶液制作方法形成。

5、根据权利要求4所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该溶液制作方法选自旋转涂布、网印、喷墨印刷与无旋转涂布的群组组合。

6、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层以气相沉积方式形成。

7、根据权利要求6所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层与该第一保护层为不同材料层。

8、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该有机材料选自聚对二甲苯-N、聚对二甲苯-C与聚对二甲苯-D的群组组合。

9、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层为无机材料层。

10、根据权利要求9所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第一保护层与该第二保护层的数量为多个，且该第一保护层与该第二保护层以交互重叠的方式形成。

11、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该气相沉积方式选自化学气相沉积、有机气相沉积、共蒸镀的群组组合。

12、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层为聚乙烯苯酚层。

13、根据权利要求1所述的具多层保护层的有机半导体元件，其特征在于，该第二保护层为有机材料层。

14、一种具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一有机薄膜晶体管；

以气相沉积方式，形成一第一保护层于该有机薄膜晶体管上；及

形成一第二保护层于该第一保护层上；

其中，该第一保护层为无机材料层或有机材料层。

15、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，该有机薄膜晶体管选自下接触式、上接触式、下栅极与上栅极的有机薄膜晶体管的群组组合。

16、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，该有机薄膜晶体管选自N型金氧半场效晶体管、P型金氧半场效晶体管与互补式金氧半场效晶体管的群组组合。

17、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，形成该第二保护层的步骤是利用溶液制作方法。

18、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，该溶液制制作方法选自旋转涂布、网印、喷墨印刷与无旋转涂布的群组组合。

19、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，形成该第二保护层的步骤是利用气相沉积方式。

20、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，该第二保护层与该第一保护层为不同材料层。

21、根据权利要求14所述的具多层保护层的有机半导体元件的制作方法，其特征在于，该有机材料选自聚对二甲苯-N、聚对二甲苯-C与聚对二甲苯-D的群组组合。