[发明专利]应用于蓝光二极管的荧光粉

权利要求书

1.一种荧光粉，其系用于InGaN异质结涂层的金属 氧化物及非金属氧化物基质中，其可被铈激化，其特 征在于：该荧光粉为两种化合物的固溶体，其中第一 种化合物具有化学计量公式(1-x)(∑Ln)₃Al₅O₁₂，第二种 化合物为xMe^II₃Me^III₂Si₃O₁₂，在此情况下所形成的固溶 体具有立方晶系及Ia3d构造组，其中该第一种化合物 及第二种化合物中Ln＝Y及/或Gd及/或Lu及/或Ce及/ 或Yb及/或Pr及/或Sm，Me^II＝Mg及/或Ca及/或Sr及/ 或Ba，Me^III＝In及/或Ga及/或Sc，其中0.0001≤x≤0.2。

2.如权利要求1所述的荧光粉，其中该第一种化合 物中x＝0.001～0.15。

3.如权利要求2所述的荧光粉，其中当Me^II＝Mg 时，其晶格参数为a≤12.0当Me^II≠Mg时，其晶格 参数为a＞12.0

4.如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉可被 至少两种激化剂激化，该两种激化剂可源于Ln＝Ce及/ 或Yb及/或Pr及/或Sm，该荧光粉可在500～700nm区 间辐射，其辐射光谱最大值位于520～590nm的光谱次 能带。

5.如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉与源 于InGaN的半导体异质结相组合，其中该异质结主要辐 射短波蓝光，其表面覆盖该均匀浓度的荧光粉涂层， 该荧光粉粉末均匀分布于该异质结表面所形成的聚合 涂层容积中。

6.如权利要求1所述的荧光粉，其中以下元素形成 该荧光粉的阳离子晶格，这些元素源于组合∑Ln＝Y及/ 或Gd及/或Lu，该荧光粉基质中这些元素浓度为[Y]＝3y、 [Gd]＝3z、[Ln]＝3p，在此情况下∑3y+3z+3p＝3-x，其中 0.6≤y≤0.79，0.01≤z≤0.05。

7.如权利要求1所述的荧光粉，其进一步含有激化 剂，该激化剂源于Ce及/或Yb及/或Pr及/或Sm，其中该 激化剂含量如下：0.005≤[Ce]≤0.1、0.0001≤[Yb]≤ 0.001、0.0001≤[Pr]≤0.01及0.0001≤[Sm]≤0.01，同时 可使辐射光谱最大值半波宽从112～125nm。

8.如权利要求7所述的荧光粉，其中该辐射光谱起 始于112nm的情况是：组成中加入一对激化剂，该激 化剂源于Ce+Yb或Ce+Pr或Yb+Pr，辐射光谱起始于 125nm的情况为加入全部六种激化剂。

9.如权利要求1所述的荧光粉，其中当化学计量指 数“x”为0.005≤x≤0.01时，其发光色坐标值为∑(x+y) ≥0.86，当化学计量指数为0.01≤x≤0.05时，其发光 色坐标值为∑(x+y)＞0.90。

10.如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉的 具体组成为Y_2.75Gd_0.15Ce_0.019Yb_0.001Mg_0.03Si_0.03Lu_0.02O₁₂，在 橙黄光谱区域辐射，其光谱最大值波长为λ＝568nm， 主要波长为λ＝575nm，辐射色坐标为x＝0.41，y＝0.48。

11.如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉的 具体组成为Y_2.96Ce_0.029Pr_0.001Mg_0.12Si_0.12Sc_0.04O₁₂，在λ ＝574nm的橙黄光谱区域辐射，主要波长为λ＝580nm， 辐射色坐标为x＝0.4，y＝0.51。