[发明专利]同轴长线形结构激光二极管制造方法及其发光装置无效
申请号: | 200810180418.X | 申请日: | 2008-11-26 |
公开(公告)号: | CN101741005A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 杨春足 | 申请(专利权)人: | 杨春足 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;H01S5/10;H01S3/067;G02B6/02;F21V8/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同轴 线形 结构 激光二极管 制造 方法 及其 发光 装置 | ||
1.一种同轴长线形结构激光二极管,此半导体光源结构,是以同轴激光二极管依轴向加长,所制成的长线形同轴激光二极管结构,其特征在于形成同轴供电的轴心电极与外环导体,其间隔以多层同心圆环形半导体层,组成轴向受激发光的激光放大,由沿着轴向增长分布的同轴圆环形布拉格光栅反馈作用或由两端面反射作用所达成的一种同轴长线形激光二极管结构。
2.根据权利要求1所述的同轴长线形结构激光二极管,其特征在于是以大量平行并排集合成束,制成的强光同轴长线形激光二极管结构。
3.根据权利要求1所述的同轴长线形结构激光二极管,其特征在于是密集在厚晶圆上以大量平行并排集合成束,制成强光同轴长线形激光二极管结构。
4.一种同轴长线形结构激光二极管光源制造方法,是以垂直大量同步长线形磊晶沉积法在一刻好布拉格光栅的轴心金属导体或轴心基棒上,沉积或磊晶一层又一层同心圆环形半导体层或导体层,以同步大量制成长线形同轴激光晶棒,再分段切割制成单位长度的同轴长线形激光二极管构造,其特征在于同轴长线形结构的激光二极管,是由制成一支或一支以上长线形同轴激光晶棒,沿线分段切割所制成。
5.一种同轴发光光纤结构,包括内轴壳、环核心层与外壳三部分,而主要分散光的环核心层介于内轴壳与外壳中间且其折射率低于内轴壳与外壳所形成的同轴光纤结构,其特征在于光纤分散导光的折射率分布依据是定在半径上,光在进入环核心层后,由较高两相同折射率的内轴壳及外壳所形成的同轴分散导光结构,依折射率分布安排的波传导方式分散传送的一种同轴发光光纤结构。
6.一种激光照明装置,是由可以混合成白光照明所需光波长的各激光,光学耦合分别射入各发光光纤所组成的激光照明装置,不同波长激光光波所进入发光光纤的核心位置,其折射率较外围纤壳折射率低,引起各色波长的激光从光纤内分散射出,混合产生白光照明作用,其特征在于发光光纤接受激光相干幅射,激光放大作用且方向一致的强光,达成改变光波原始的同方向路径,成为均匀分散发光的一种发光或照明装置。
7.根据权利要求6所述的激光照明装置,其特征在于其是以互补成白光的二色激光照明装置组成。
8.根据权利要求6所述的激光照明装置,其特征在于其是以一色或一色以上激光照明装置,装在荧光粉披覆的管内所组成的白光照明装置。
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