[发明专利]溅射装置以及溅射方法

权利要求书

1.一种溅射装置，包括：

真空腔；

靶，其被配置在所述真空腔内；

磁路，其被设置在所述靶的背面一侧，包括垂直磁体组件和平行磁体组 件；以及

基板保持件，其被配置在所述靶的表面一侧，用于保持基板，其中，

所述垂直磁体组件由中心垂直磁体和外周垂直磁体构成，在所述垂直磁 体组件的磁体内部的磁化方向都大致垂直于所述靶表面，并且在所述中心 垂直磁体与所述外周垂直磁体的磁体内部的磁化方向彼此相反，所述中心 垂直磁体设置在所述靶的背面的中央部分，所述外周垂直磁体被设置在所 述靶的背面的外周部分，并被设置成包围所述中心垂直磁体的环状，

所述平行磁体组件由内侧平行磁体和外侧平行磁体构成，在所述平行磁 体组件的磁体内部的磁化方向都大致平行于所述靶表面，并且在所述内侧 平行磁体和所述外侧平行磁体的磁体内部的磁化方向相同，所述平行磁体 组件都被设置在所述中心垂直磁体和所述外周垂直磁体之间，并被设置成 包围所述中心垂直磁体的环状，而且所述内侧平行磁体比所述外侧平行磁 体更靠近所述靶的背面的中心一侧配置，

在设所述内侧平行磁体与所述靶表面之间的间隔为D1、所述外侧平行 磁体与所述靶表面之间的间隔为D2、所述外周垂直磁体与所述靶表面之间 的间隔为D3时，具有D1＜D2≤D3的关系。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其中，所述间隔D1为30mm以下。

3.如权利要求1所述的溅射装置，其中，还具有水冷套，其被设置在所 述靶与所述磁路之间，所述磁路被配置在所述水冷套的外部。

4.如权利要求3所述的溅射装置，其中，在所述水冷套的所述磁路一侧 的一部分形成凹陷的空间，所述内侧平行磁体被设置在所述凹陷的空间。

5.如权利要求4所述的溅射装置，其中，在所述水冷套的所述磁路一侧 的一部分形成的空间被狭缝分割成多个空间，所述内侧平行磁体被设置在 所述多个空间的各个空间，所述狭缝的厚度比所述水冷套的形成有凹陷的 部分的厚度大，并且所述狭缝为水冷套的水路的一部分。

6.一种溅射装置，包括：

真空腔；

靶，其被配置在所述真空腔内；

磁路，其被设置在所述靶的背面一侧，包括垂直磁体组件和平行磁体组 件；

基板保持件，其被配置在所述靶的表面一侧，用于保持基板；以及

水冷套，其被设置在所述靶与所述磁路之间，其中，

所述磁路被配置在所述水冷套的外部，

所述垂直磁体组件由中心垂直磁体和外周垂直磁体构成，在所述垂直磁 体组件的磁体内部的磁化方向都大致垂直于所述靶表面，并且在所述中心 垂直磁体与所述外周垂直磁体的磁体内部的磁化方向彼此相反，所述中心 垂直磁体被设置在所述靶的背面的中央部分，所述外周垂直磁体被设置在 所述靶的背面的外周部分，并被设置成包围所述中心垂直磁体的环状，

所述平行磁体组件由内侧平行磁体和外侧平行磁体构成，在所述平行磁 体组件的磁体内部的磁化方向都大致平行于所述靶表面，并且在所述内侧 平行磁体和所述外侧平行磁体的磁体内部的磁化方向相同，所述平行磁体 组件都被设置在所述中心垂直磁体和所述外周垂直磁体之间，并被设置成 包围所述中心垂直磁体的环状，而且所述内侧平行磁体比所述外侧平行磁 体更靠近所述靶的背面的中心一侧配置，

在与所述内侧平行磁体对应的所述水冷套的内部设置磁性体，或者将与 所述内侧平行磁体对应的所述水冷套的一部分设置为磁性体。

7.一种溅射方法，为使用权利要求1所述的溅射装置的溅射方法，其中， 包括以下步骤：

在所述基板保持件保持被成膜体；

将溅射气体导入所述溅射装置的真空腔内；以及

对配置在所述真空腔内的靶施加电压而产生等离子，在所述基板上形成 溅射膜。

8.一种溅射方法，为使用权利要求6所述的溅射装置的溅射方法，其中， 包括以下步骤：

在所述基板保持件保持被成膜体；

将溅射气体导入所述溅射装置的真空腔内；以及

对配置在所述真空腔内的靶施加电压而产生等离子，在所述基板上形成 溅射膜。