[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本申请基于35 U.S.C 119要求第10-2007-0122591号(于2007年11月29日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，更具体地，涉及一种半导体器件的制造方法，该制造方法能够简化用于形成高压器件的氧化膜的工艺，从而降低高压器件的制造成本和制造时间。

背景技术

通常，用于制造半导体器件的工艺可以划分为预处理和后处理。可以以下述顺序来实施预处理：氧化、应用光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入、化学气相沉积、金属化以及引线键合(wirebonding)。在预处理之后实施后处理，该后处理包括组装(assembly)和检测(inspection)。具体地，可以以下述顺序来实施后处理：晶片EDS测试、晶片切割(wafer sawing)、芯片固定(chip dieattachment)、引线键合、成型以及最终测试。通过上述工艺可以在晶片上形成高压器件或低压器件。然而，当在单个晶片上形成高压器件和低压器件时，制造工艺变得非常复杂。

图1A到图1C是示出了形成高压器件的栅极氧化膜的相关方法的过程截面图。首先，如图1A中所示，在半导体晶片2上方顺序形成栅极氧化物材料层4a和例如光刻胶层6a的感光膜。这里，栅极氧化物材料层4a可以用作高压器件的栅极绝缘层。通过旋涂装置(spin coating apparatus)的离心力来在半导体晶片2的顶部上方均匀地形成栅极氧化物材料层4a和光刻胶层6a。随后，将溶剂喷射到半导体晶片2的边缘以从半导体晶片2的边缘处去除光刻胶层6a(边缘球状物去除(edge bead removal)：EBR)。这样，完成预曝光工艺。

随后，如图1B中所示，布置掩膜，并且实施曝光工艺以形成图样。使用显影剂来使曝光的半导体晶片2显影，以便除了选定的部分光刻胶层6a之外，光刻胶层6a的剩余部分形成光刻胶图样6。随后，将去离子水(DI水)喷射到已经喷射了显影剂的半导体晶片2，以清洗半导体晶片2，以及然后将清洗过的半导体晶片2烘干。从经过显影的光刻胶图样6处去除残留的溶液，以及同时实施硬烘培工艺(坚膜工艺，hard baking process)以增强光刻胶图样6的结合力(bonding strength)和改善光刻胶图样6的形态(morphology)。

随后，如图1C中所示，在24℃到25℃的温度下实施使用了缓冲氟化氢(buffered hydrogen fluoride)(BHF)的湿法刻蚀工艺以在半导体晶片2上方形成栅极氧化膜4。随后，实施使用了显影剂的显影工艺以去除光刻胶图样6，以及然后实施清洗(washing)和烘干(drying)工艺，以便在半导体晶片2上方仅留下栅极氧化膜4。

然而，形成高压器件的栅极氧化膜的该相关方法存在问题。在形成光刻胶图样6之后，必须实施诸如清洗工艺、烘干工艺和硬烘培工艺的各种工艺以形成栅极氧化膜4。这增加了高压器件的制造时间和制造成本。

发明内容

本发明实施例涉及一种半导体器件的制造方法，更具体地，涉及一种半导体器件的制造方法，该制造方法能够简化用于形成高压器件的氧化膜的工艺，从而降低高压器件的制造成本和制造时间。

本发明实施例涉及一种半导体器件的制造方法，该制造方法能够简化用于形成高压器件的氧化膜的工艺，从而降低高压器件的制造成本和制造时间。

本发明实施例涉及一种半导体器件的制造方法，该方法包括在半导体晶片上方涂覆(applying)栅极氧化物材料，在栅极氧化物材料上方涂覆光刻胶材料，在光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺(初次显影工艺，primary development process)以形成光刻胶图样，实施使用了光刻胶图样的刻蚀工艺以形成栅极氧化膜，以及实施第二显影工艺(二次显影工艺，secondary developmentprocess)以去除光刻胶图样。根据本发明实施例，形成栅极氧化膜可以包括在24℃到25℃的温度下实施使用了缓冲氟化氢(BHF)的湿法刻蚀工艺。可以使用选自由硫磺酸(sulfuric acid)、臭氧和超度含水溶液(hyperhydric solution)组成的组中的至少一种来实施上述的第二显影工艺。根据本发明实施例，在形成栅极氧化膜之后，去除光刻胶图样可以包括使用选自由硫磺酸、臭氧和超度含水溶液组成的组中的至少一种来实施第二显影工艺，而不需要另外的清洗工艺、烘干工艺和硬烘培工艺。