[发明专利]膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置

权利要求书

1.一种膜的形成方法，其是形成用于n沟道薄膜晶体管、p沟道薄膜晶体管和太阳能电池中至少一种的膜的方法，其特征在于，包括：

利用第一电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序；

使用比所述第一电子温度高的第二电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序，

所述第一工序和所述第二工序分别在第一工序的处理容器内和第二工序的处理容器内执行，

所述第一电子温度为4.5eV以下。

2.如权利要求1所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一工序的处理容器和所述第二工序的处理容器为同一处理容器；

执行所述第二工序时的处理容器内的压力设定为比执行所述第一工序时的处理容器内的压力低。

3.如权利要求1所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一工序中：

利用与所述第二工序相比提高电子密度后的状态的高电子密度等离子体形成微晶硅膜。

4.如权利要求1所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一工序中：

利用与所述第二工序相比增加氢自由基的量后的状态的高电子密度等离子体形成微晶硅膜。

5.如权利要求3所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一工序中向所述第一工序的处理容器内施加的功率，设定为比在所述第二工序中向所述第二工序的处理容器内施加的功率高。 

6.如权利要求1所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一电子温度为2eV以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第二工序的电子密度为5×10¹⁰cm^-3以上。

8.如权利要求7所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第二工序的电子密度为1×10¹¹cm^-3以上。

9.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

设定各工序的工艺条件，使在所述第二工序中形成的超微晶膜比在所述第一工序中形成的微晶膜更加致密地形成。

10.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

设定各工序的工艺条件，使在所述第二工序中形成的超微晶膜比在所述第一工序中形成的微晶膜的晶粒更小。

11.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

设定各工序的工艺条件，使在所述第一工序中形成的微晶膜比在所述第二工序中形成的超微晶膜的结晶体积分数高。

12.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述第一电子温度以下的高电子密度等离子体和所述第二电子温度的高电子密度等离子体，

通过使用感应耦合型等离子体处理装置或微波等离子体处理装置使处理气体激励而生成。

13.如权利要求12所述的膜的形成方法，其特征在于：

所述微波等离子体处理装置，在生成所述第一电子温度以下的高电子密度等离子体的情况下，通过使微波透过形成为瓦状的多个电介体板的各电介体板，而向所述第一工序的处理容器内投入微波；在生成所述第二电子温度的高电子密度等离子体的情况下，通过使微波透 过形成为瓦状的多个电介体板的各电介体板，而向所述第二工序的处理容器内投入微波。

14.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

通过将所述第一工序和所述第二工序分别交替反复2次以上，在被处理体上分别叠层2层以上的所述微晶硅膜和所述超微晶硅膜。

15.如权利要求14所述的膜的形成方法，其特征在于：

形成所述叠层膜的所述微晶硅膜和所述超微晶硅膜，是为了具有作为薄膜晶体管的功能而必需的膜厚，且分别以膜厚最薄的方式在被处理体上叠层各层。

16.如权利要求1～6中任一项所述的膜的形成方法，其特征在于：

通过在执行所述第二工序前后执行所述第一工序，以所述超微晶硅膜被所述微晶硅膜包夹的方式在被处理体上叠层各层。