[发明专利]一种保护地切花栽培设施及栽培方法

权利要求书

1.一种切花的保护地栽培设施，包括砖砌墙、隔热层、沙砾层、有机物料层、土壤和/或基质层和滴灌设备，其特征在于，由砖砌墙围成花池，在花池内壁放置隔热层，在花池中由下到上依次铺垫沙砾层、有机物料层、土壤和/或基质层和隔热层，并安装滴灌设备。

2.一种如权利要求1所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的砖砌墙包括由砖、水泥和沙子。

3.一种如权利要求1所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的砖砌墙的厚度为5～8厘米。

4.一种如权利要求1所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的隔热层为泡沫板、石棉瓦、瓷砖中的至少一种。

5.一种如权利要求1所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的有机物料层为中草药粉碎物、山毛豆、苦楝树、蘑菇渣、豆饼和麸糠中的至少一种。

6.一种如权利要求5所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的中草药粉碎物包括板蓝根、苦参、黄芪、艾叶、蛇床子、黄柏、穿心莲、青蒿和皂角中的至少有一种。

7.一种如权利要求1所述的切花的保护地栽培设施，其特征在于，所述的滴灌设备包括滴灌管，PVC和PE输水管道，施肥系统，过滤系统，电磁阀，压力调节器和自动控制系统。

8.一种切花的保护地的栽培方法，其特征在于包括以下步骤：

1)由砖砌墙围成花池，在砖砌墙内壁紧紧放置隔热材料形成隔热层；

2)在砌好的花池内的最底层铺垫一层的厚度为3～5cm沙砾层，在砂砾层上铺垫一层厚度为2～10cm的有机物料层，然后在有机物料层上铺垫土壤和/或基质，使铺垫土壤和/或基质后花池内的厚度低于围墙上沿3～10cm；

3)在土壤和/或基质层栽培切花，栽种后铺设滴灌设备。

9.一种如权利要求8所述的切花的保护地的栽培方法，其特征在于在有机物料层上铺垫的土壤和/或基质是经过消毒并混有肥料的。