[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2008年7月17日提交的韩国专利申请No.10-2008-0069505 的优先权，在这里将其并入本申请中作为参考。

发明领域

本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法。

背景技术

应用于有机发光显示器中的有机发光元件具有一种自发光结构，在这种结 构中，基板上的两个电极之间形成发光层。

有机发光元件根据光的发射方向而分为顶部发射型有机发光元件和底部 发射型有机发光元件。有机发光元件也可以根据显示器的驱动方式而分为无源 矩阵型有机发光元件和有源矩阵型有机发光元件。

在有机发光显示器中，向大量以矩阵形式排列的子像素提供扫描信号、数 据信号、电能等，光从选定的子像素中发射出来，由此显示图像。

在有机发光显示器的相关技术中，在具有栅极、源极和漏极的晶体管上形 成与晶体管的源极或漏极相连的阴极，腔室移动，由此形成有机发光层和阳极。

然而，由于相关技术的有机发光显示器中阴极在其形成过程中会被氧化， 因此电子发射效率会减小。此外，阴极彼此间会在其形成过程中发生短路，或 者薄膜间的高度差异会导致阳极的断路。

发明内容

本发明其它的特征和优点将在下文的说明书中阐明，其中的一部分将从说 明书中显而易见，或者可通过对本发明的示范性实施方式的实践而获知。通过 书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的 示范性实施方式的目的和其它优点。

根据本发明的一个方面，提供一种有机发光显示器，包括：基板；该基板 上的晶体管，该晶体管包括栅极、源极和漏极；位于晶体管上的连接到该晶体 管的源极或漏极的连接电极；位于该连接电极上的用于暴露该连接电极的一部 分的第一牺牲层；位于该第一牺牲层上的用于暴露该连接电极的一部分的第二 牺牲层；位于连接电极和第二牺牲层上的下电极；位于该下电极上的有机发光 层；以及位于有机发光层上的上电极，其中第一牺牲层在第二牺牲层内形成于 第二牺牲层的长度范围内。

根据本发明的另一方面，提供一种有机发光显示器，包括：基板；该基板 上的晶体管，该晶体管包括栅极、源极、漏极；位于该晶体管上的连接到该晶 体管的源极或漏极的连接电极；位于该连接电极上的用于暴露一部分连接电极 的牺牲层；位于牺牲层上的用于暴露一部分连接电极的堆积层(bank layer)； 位于连接层和堆积层上的下电极；位于下电极上的有机发光层；和位于有机发 光层上的上电极，其中牺牲层在堆积层内形成于堆积层的长度范围内。

根据本发明的又一方面，提供一种制造有机发光显示器的方法，包括：在 基板上形成具有栅极、源极和漏极的晶体管，在晶体管上形成连接到该晶体管 的源极或漏极的连接电极，在连接电极上形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形 成第二牺牲层，在第二牺牲层上形成用于暴露第二牺牲层的一部分的光致抗蚀 剂，利用第一蚀刻法去除第二牺牲层从而第二牺牲层在光致抗蚀剂内形成于光 致抗蚀剂的长度范围内，利用第二蚀刻法去除第一牺牲层从而第一牺牲层在第 二牺牲层内形成于第二牺牲层的长度范围内，去除光致抗蚀剂，在连接电极上 形成下电极，在下电极上形成有机发光层，以及在有机发光层上形成上电极。

根据本发明的再一方面，提供一种制造有机发光显示器的方法，包括：在 基板上形成具有栅极、源极和漏极的晶体管，在晶体管上形成连接到该晶体管 的源极或漏极的连接电极，在连接电极上形成牺牲层，在牺牲层上形成用于暴 露牺牲层的一部分的堆积层，利用蚀刻法去除牺牲层从而牺牲层在堆积层内形 成于堆积层的长度范围内，在连接电极上形成下电极，在下电极上形成有机发 光层，以及在有机发光层上形成上电极。

应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是示范性的和解 释性的，意在提供对所要求保护的本发明的实施方式的进一步解释。

附图说明

附图结合在本申请中构成本申请的一部分，用以提供对本发明的进一步理 解。附图例示了本发明的实施方式并与说明书一起用以解释本发明的原理。在 附图中：

图1为例示根据本发明第一示范性实施方式的有机发光显示器的平面图；

图2为例示根据本发明第一示范性实施方式的子像素的剖视图；

图3为例示图2中显示的有机发光二极管结构的剖视图；